[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210278267.8
• 申請日: 2009-02-06
• 公開（公告）號: CN102820338A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 大塚拓一;箕谷周平
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉建

1.一種半導體裝置，具備：

含有碳化硅并由第1主電極區域構成的基板；

層疊在所述基板的表面上并由碳化硅構成的第1導電型外延層；

在所述外延層的表面層相互隔離地配置的第1導電型的第2主電極區域；

被所述第2主電極區域夾持的第2導電型阱接觸區域；

與所述第2主電極區域及所述第2導電型阱接觸區域的所述基板側表面相接地配置的第2導電型阱區域；

配置為夾持所述第2主電極區域及所述第2導電型阱區域的第2導電型阱擴展區域；

隔著柵極絕緣膜而在被所述第2主電極區域及所述外延層的表面露出部夾持的所述第2導電型阱擴展區域的表面配置的柵極電極；

與所述第2主電極區域及所述第2導電型阱接觸區域的表面接觸地配置的第2主電極；和

配置在所述基板的與表面對置的背面的第1主電極，

所述第2導電型阱區域具有的第2導電型雜質的濃度在最深部附近具有峰值，越接近表面越連續、緩慢地降低，

所述第2導電型阱擴展區域具有的所述第2導電型雜質的濃度在最深部附近具有峰值，越接近表面越連續、緩慢地降低。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2導電型阱區域具有的第2導電型雜質的峰值濃度為2×10¹⁷～3×10¹⁸cm^-3。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2導電型阱擴展區域具有的所述第2導電型雜質的峰值濃度為1×10¹⁷～2×10¹⁸cm^-3。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在從所述外延層的表面朝向所述基板的深度方向上，所述第2導電型阱區域具有的第2導電型雜質的濃度的濃度峰值位置比所述第2導電型阱擴展區域具有的所述第2導電型雜質的濃度的濃度峰值位置深。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2導電型阱區域的濃度峰值位置處的第2導電型雜質的濃度比所述第2導電型阱擴展區域的濃度峰值位置處的第2導電型雜質的濃度高。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1主電極區域具有第1導電型，并且所述第1主電極區域為漏極區域、所述第2主電極區域為源極區域、所述第1主電極為漏極電極、所述第2主電極為源極電極。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1主電極區域具有第2導電型，并且所述第1主電極區域為集電極區域、所述第2主電極區域為發射極區域、所述第1主電極為集電極電極、所述第2主電極為發射極電極。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2導電型阱區域的所述基板側表面與所述第2導電型阱擴展區域的所述基板側表面相比，其距離所述外延層的表面的深度更深。