[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210278183.4
• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102915955A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹壯根;崔正達(dá);薛光洙
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 姜盛花;陳源

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括下述步驟：

設(shè)置由多個層彎曲地層疊的堆疊，其包括低水平處的第一區(qū)域和高水平處的第二區(qū)域；

對所述堆疊進(jìn)行平坦化，使在所述多個層中位于所述第一區(qū)域的一部分層形成為L形狀；以及

對所述堆疊進(jìn)行圖案化，使得在所述第一區(qū)域中將所述L形狀的層形成為階梯式，同時在所述第二區(qū)域中將不是所述L形狀的其他層形成為所述階梯式。

2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中設(shè)置所述堆疊的步驟包括：

設(shè)置具有低水平處上表面和高水平處上表面的階梯式襯底；以及

在所述階梯式襯底上沿著所述階梯式襯底的上表面形狀層疊所述多個層。

3.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中設(shè)置所述階梯式襯底的步驟包括：

設(shè)置具有平坦上表面的襯底；以及

使所述襯底的上表面凹陷而形成所述階梯式襯底。

4.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中設(shè)置所述階梯式襯底的步驟包括：

設(shè)置具有平坦上表面的襯底；以及

在所述襯底上形成從所述襯底的上表面凸出的絕緣層。

5.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中層疊所述多個層的步驟包括：

在所述階梯式襯底上交替地層疊多個第一絕緣層和與所述第一絕緣層的蝕刻選擇比不同的多個第二絕緣層或多個導(dǎo)電層。

6.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中對所述堆疊進(jìn)行平坦化的步驟包括：

通過利用依次收縮或擴大的掩模的蝕刻，在所述第一區(qū)域依次對所述L形狀的層進(jìn)行圖案化；以及

在所述第二區(qū)域，依次對與所述L形狀的層處于相同水平處的、不是所述L形狀的其他層進(jìn)行圖案化。

7.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中設(shè)置所述堆疊的步驟包括：

設(shè)置這樣的堆疊，其在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間還包括中間水平處的第三區(qū)域，其中所述第三區(qū)域高于所述第一區(qū)域且低于所述第二區(qū)域。

8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括下述步驟：

在階梯式襯底上交替地層疊多個第一層和多個第二層而形成包括低水平處的第一區(qū)域和高水平處的第二區(qū)域的堆疊；

對所述堆疊進(jìn)行平坦化而使包括在所述第一區(qū)域中的所述第一層和所述第二層形成為L形狀；

依次對包括在所述第一區(qū)域中的所述L形狀的第一層和第二層進(jìn)行圖案化而形成第一階梯式結(jié)構(gòu)，同時依次對與所述L形狀的第一層和第二層處于相同水平處的、包括在所述第二區(qū)域中的第一層和第二層進(jìn)行圖案化而形成第二階梯式結(jié)構(gòu)。

9.權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中：

所述第一層包括第一絕緣層；

所述第二層包括與所述第一絕緣層的蝕刻選擇比不同的第二絕緣層或?qū)щ妼印?/p>

10.權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中還包括下述步驟：

在形成所述第一階梯式結(jié)構(gòu)和所述第二階梯式結(jié)構(gòu)之后或者之前，穿過所述堆疊而形成與所述襯底電連接的垂直溝道。

11.權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中還包括下述步驟：

在形成所述第一階梯式結(jié)構(gòu)和所述第二階梯式結(jié)構(gòu)之后或者之前，選擇性地移除所述第二絕緣層；以及

在所述第一絕緣層之間形成與所述垂直溝道電連接的導(dǎo)電體。

12.權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中還包括下述步驟：

形成與形成在所述第一區(qū)域中的第一階梯式結(jié)構(gòu)連接的第一接觸插頭；以及

與此同時，形成與形成在所述第二區(qū)域中的第二階梯式結(jié)構(gòu)連接的第二接觸插頭。

13.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

在階梯式襯底上設(shè)置的多個垂直溝道；

柵極堆疊，其設(shè)置在所述階梯式襯底上，包括沿著所述垂直溝道的延伸方向垂直分離并分別具有接觸區(qū)的多個導(dǎo)電層；以及

與所述多個導(dǎo)電層的多個接觸區(qū)連接的垂直的多個接觸插頭，

其中，所述多個導(dǎo)電層包括階梯式圖案的多個第一導(dǎo)電層和層疊在所述多個第一導(dǎo)電層上的L形狀圖案的多個第二導(dǎo)電層，

所述第一導(dǎo)電層的接觸區(qū)與所述第一導(dǎo)電層的其他部分相比位于抬高的水平處。