[發明專利]液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201210276332.3
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN102983101A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 李鉉奎;李石;李恩遠;鄭敬燮;金鎮成;田玹守
• 申請（專利權）人: 東友FINE-CHEM股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/48;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 孟桂超;張穎玲

1.一種液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法，包括步驟：

a)在基板上形成柵極；

b)在包含所述柵極的基板上形成柵絕緣層；

c)在所述柵絕緣層上形成半導體層；

d)在所述半導體層上形成源極/漏極；以及

e)形成與所述漏極連接的像素電極；

所述方法的特征在于，

所述步驟a)包括：在所述基板上形成銅基金屬膜，銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜；使用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬膜，所述銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或所述銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜，從而形成所述柵極；

所述步驟d)包括：在所述半導體層上形成銅基金屬膜，銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜；使用所述蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬膜，所述銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或所述銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜，從而形成所述源極/漏極；且

所述蝕刻劑組合物，基于所述組合物的總重量，包含：A)5.0至25.0重量％的過氧化氫(H₂O₂)；B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；C)0.1至5.0重量％的唑化合物；D)0.5至4.0重量％的選自由無機酸、磺酸、草酸或其鹽，以及有機過酸組成的組中的一種或多種；以及E)余量為水。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述液晶顯示裝置用陣列基板是薄膜晶體管(TFT)陣列基板。

3.一種形成配線的方法，包括步驟：

I)在基板上形成銅基金屬膜，銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜；

II)在所述銅基金屬膜，所述銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或所述銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜上選擇性地留下光反應性物質；以及

III)使用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬膜，所述銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或所述銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜；

其中，所述蝕刻劑組合物，基于所述組合物的總重量，包含：A)5.0至25.0重量％的過氧化氫(H₂O₂)；B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；C)0.1至5.0重量％的唑化合物；D)0.5至4.0重量％的選自由無機酸、磺酸、草酸或其鹽，以及有機過酸組成的組中的一種或多種；以及E)余量為水。

4.一種用于銅基金屬膜、銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜的蝕刻劑組合物，基于所述組合物的總重量，包含：

A)5.0至25.0重量％的過氧化氫(H₂O₂)；

B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；

C)0.1至5.0重量％的唑化合物；

D)0.5至4.0重量％的選自由無機酸、磺酸、草酸或其鹽，以及有機過酸組成的組中的一種以上；以及

E)余量為水。

5.根據權利要求4所述的用于銅基金屬膜、銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜的蝕刻劑組合物，其特征在于，

B)所述含氟化合物包括選自由氟化銨(ammonium?fluoride：NH₄F)、氟化鈉(sodium?fluoride：NaF)、氟化鉀(potassium?fluoride：KF)、氟化氫銨(ammonium?bifluoride：NH₄F·HF)、氟化氫鈉(sodium?bifluoride：NaF·HF)及氟化氫鉀(potassium?bifluoride：KF·HF)組成的組中的一種或兩種以上。

6.根據權利要求4所述的用于銅基金屬膜、銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜的蝕刻劑組合物，其特征在于，

C)所述唑化合物包括選自由氨基四唑(aminotetrazole)、苯并三唑(benzotriazole)、甲苯基三唑(tolyltriazole)、吡唑(pyrazole)、吡咯(pyrrole)、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑及4-丙基咪唑組成的組中的一種或兩種以上。