[發(fā)明專利]液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210276332.3
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN102983101A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鉉奎;李石;李恩遠(yuǎn);鄭敬燮;金鎮(zhèn)成;田玹守
• 申請（專利權(quán)）人: 東友FINE-CHEM股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/48;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270
• 代理人: 孟桂超;張穎玲

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)

在液晶顯示裝置的基板上形成金屬配線的過程通常包括使用濺射等形成金屬膜的工序，實(shí)行涂布光刻膠、基于曝光及顯影使得在選擇性區(qū)域上形成光刻膠的工序，以及實(shí)行蝕刻的工序，并且在各個(gè)別工序前后進(jìn)行清洗工序等。該蝕刻工序是指使用光刻膠作為光罩，在選擇性的區(qū)域上形成金屬膜的工序，通常有使用等離子體等的干式蝕刻，或使用蝕刻劑組合物的濕式蝕刻。

在該液晶顯示裝置中，最近金屬配線的電阻成為主要的關(guān)注焦點(diǎn)。這是因?yàn)椋诒∧ぞw管-液晶顯示裝置TFT-LCD(thin?film?transistor-liquid?crystal?display)中，解決RC信號延遲問題成為增加面板尺寸和實(shí)現(xiàn)高分辨率的關(guān)鍵，其中電阻為誘發(fā)RC信號延遲的主要因素。因此，為了增大TFT-LCD的尺寸，必然要求RC信號延遲減少，必須開發(fā)具有低電阻的材料。

由于以往主要使用的鉻(Cr，比電阻：12.7×10^-8Ωm)、鉬(Mo，比電阻：5×10^-8Ωm)、鋁(Al，比電阻：2.65×10^-8Ωm)及其合金的電阻大，很難將其用于大型TFT?LCD中使用的柵極及數(shù)據(jù)線等。因此，作為低電阻金屬膜的銅膜及銅鉬膜等銅基金屬膜和與此對應(yīng)的蝕刻劑組合物受到關(guān)注。但是，由于當(dāng)前為止公知的銅基蝕刻劑組合物無法滿足用戶所要求的性能，需要進(jìn)行提高性能方面的研究開發(fā)。

另外，在以往的使用過氧化氫的銅膜蝕刻劑的情況下，具有可實(shí)現(xiàn)由銅或銅合金與鉬或鉬合金構(gòu)成的多層金屬膜的批量濕式蝕刻及圖案形成的優(yōu)點(diǎn)。但是，由于過氧化氫的分解速度由金屬層蝕刻時(shí)溶解的金屬離子，特別是由銅離子而變快并引起過熱現(xiàn)象，存在蝕刻劑穩(wěn)定性大幅降低的問題。并且，在多層金屬膜的情況下，隨著溶解的金屬離子濃度增加，由于使用過氧化氫蝕刻銅層的速度和使用氟化合物蝕刻鉬合金層的速度之差以及電效果的影響，使得兩金屬層接合的界面發(fā)生變形，存在蝕刻特性不良的問題。

在韓國專利公開第2005-0067934好中，公開了用于批量蝕刻銅金屬層和透明導(dǎo)電層的，包含硝酸、鹽酸、過氧化氫、唑化合物(azole?compound)的蝕刻劑。但是，在上述專利的情況下，由于鹽酸對銅金屬層的損傷嚴(yán)重，存在難以使用的缺點(diǎn)。

【在先技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

(專利文獻(xiàn)1)KR2005-0067934A

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻劑組合物，其能夠蝕刻銅基金屬膜，銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜，或銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜。

本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻劑組合物，其在蝕刻時(shí)形成具有優(yōu)異平直性的錐形剖面(taper?profile)，并且不留有金屬膜的殘?jiān)?/p>

本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻劑組合物，其可批量蝕刻形成液晶顯示裝置用陣列基板的柵極及柵線、源極/漏極和數(shù)據(jù)線的銅基金屬膜及銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜。

本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻劑組合物，其可批量蝕刻形成液晶顯示裝置用陣列基板的柵極及柵線、源極/漏極和數(shù)據(jù)線的銅基金屬膜、銅基金屬膜和金屬氧化物膜的多層膜、以及銅基金屬膜和鉬基金屬膜的多層膜。

并且，本發(fā)明的目的在于提供一種使用所述蝕刻劑組合物的形成配線的方法及液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法。