[發(fā)明專利]用于刻蝕工藝前清潔腔室的裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210276324.9
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN102814305A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁向前;孫亮;白金超;李梁梁;劉耀
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及陣列基板生產(chǎn)工藝中干法刻蝕工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于刻蝕工藝前清潔腔室的裝置及方法。

背景技術(shù)

目前在TFT領(lǐng)域，玻璃基板尺寸越來越大，對應(yīng)的腔室也越來越大，所以對顆粒污染的控制越來越難，同時，由于單位面板尺寸變大，超高分辨率（4000*2000），in-cell觸摸屏及GOA（Gate?On?Array）等技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用，顆粒污染對產(chǎn)品良率及技術(shù)開發(fā)設(shè)計的影響也日益突出。

在干法蝕刻工藝過程中，顆粒污染造成的斷線、短路等不良是影響產(chǎn)品最終良率的關(guān)鍵原因，顆粒污染的控制日益成為TFT工藝的最大挑戰(zhàn)。

在干法刻蝕工藝中，一般包括以下三個步驟：（1）BT(before?treatment)其作用主要是去除表面自然氧化層，使得下一步主刻蝕步驟得以順利進(jìn)行；（2）ME(main?etch)其主要作用是按照mask圖形進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)計所需的圖形；（3）AT(after?treatment)其主要作用是在主刻蝕完成后，對基本表面進(jìn)行處理，保證后續(xù)工藝質(zhì)量。

顆粒污染的一個主要原因是腔室內(nèi)壁沉積的反應(yīng)生成物在工藝過程中，由于強(qiáng)室內(nèi)壓力變化脫落造成的，現(xiàn)有的工藝一般是在刻蝕之前，BT步驟只進(jìn)行去除表面自然氧化層的前處理，這種處理方式不能有效地優(yōu)化腔室環(huán)境，即不能清潔腔室內(nèi)部的顆粒污染，從而使得腔室維護(hù)周期縮短，產(chǎn)線的容錯能力降低，而且可能導(dǎo)致因顆粒污染而造成的產(chǎn)品不良。現(xiàn)有的清潔裝置往往是專門設(shè)計的額外的清潔設(shè)備，從而增加了額外材料消耗費(fèi)用，提高了清潔成本。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：如何提供一種在刻蝕工藝前減少顆粒污染的方案。

（二）技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置，所述裝置為一腔室，包括腔室本體，用于放置和傳遞基板。

優(yōu)選地，所述腔室為真空腔室。

優(yōu)選地，所述裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)的可升降支柱。

優(yōu)選地，所述裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)、用于吸附所述基板的反應(yīng)臺。

優(yōu)選地，所述裝置還包括設(shè)置于所述腔室本體上的腔室蓋。

優(yōu)選地，所述腔室蓋為絕緣材料。

本發(fā)明還提供了一種利用所述的裝置來清潔腔室的方法，包括以下步驟：

S1、采用能夠使得顆粒污染發(fā)生的惡化工藝條件對所述腔室內(nèi)環(huán)境進(jìn)行處理；

S2、在一定腔室壓力條件下，清除所述腔室內(nèi)的顆粒污染。

優(yōu)選地，步驟S1的工藝條件為：腔室壓力5-200mt，電極功率5000-18000W，反應(yīng)氣體選自O(shè)₂、CL₂、SF₆、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccm。

優(yōu)選地，步驟S1的工藝條件為：腔室壓力5-100mt，電極功率7000-16000W，氣體總流量8000-15000sccm。

優(yōu)選地，步驟S2的工藝條件為：腔室壓力0.1-10mt，電極功率5000-18000W，反應(yīng)氣體選自O(shè)₂、CL₂、SF₆、He中的一種或幾種的組合，氣體總流量5000-20000sccm。

優(yōu)選地，步驟S2的工藝條件為：腔室壓力0.5-1.0mt，電極功率7000-16000W，氣體總流量9000-13000sccm。

優(yōu)選地，步驟S2的處理時間長于步驟S1的處理時間。

（三）有益效果

上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明所設(shè)計的裝置可以用于在干法刻蝕之前對其腔室本身內(nèi)部環(huán)境進(jìn)行清潔，最大程度上清除顆粒污染對陣列基板性能可能會造成的影響。本發(fā)明所設(shè)計的方法直接作用于干法刻蝕之前，在不對基板造成刻蝕的前提下，避免了其他污染可能，最大程度上清除顆粒污染對基板性能造成的影響。本發(fā)明不需要增加額外的清潔設(shè)備，不增加額外的工藝時間，不增加額外材料消耗費(fèi)用，除壓力外其他工藝參數(shù)保持不變，在保留前處理去除基板表面氧化層作用的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了清潔腔室的目的。同時還可以延長腔室維護(hù)周期，提高產(chǎn)線的容錯能力，減少因顆粒污染而造成的產(chǎn)品不良。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的裝置結(jié)構(gòu)示意圖及其使用示意；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例二的方法流程圖。

其中，1：腔室本體；2：腔室蓋；3：陣列基板。

具體實(shí)施方式