[發明專利]用于刻蝕工藝前清潔腔室的裝置及方法有效
| 申請號: | 201210276324.9 | 申請日: | 2012-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN102814305A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發明(設計)人: | 丁向前;孫亮;白金超;李梁梁;劉耀 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | B08B7/00 | 分類號: | B08B7/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 刻蝕 工藝 清潔 裝置 方法 | ||
1.一種用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置,其特征在于,所述裝置為一腔室,包括腔室本體,用于放置和傳遞基板。
2.如權利要求1所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置,其特征在于,所述腔室為真空腔室。
3.如權利要求1所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置,其特征在于,所述裝置還包括位于所述腔室本體內的可升降支柱。
4.如權利要求1所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置,其特征在于,所述裝置還包括位于所述腔室本體內、用于吸附所述基板的反應臺。
5.如權利要求1~4中任一項所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置,其特征在于,所述裝置還包括設置于所述腔室本體上的腔室蓋。
6.如權利要求5所述的用于刻蝕工藝前清潔基板的裝置,其特征在于,所述腔室蓋為絕緣材料。
7.一種利用權利要求1~6所述的裝置來清潔腔室的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、采用能夠使得顆粒污染發生的工藝條件對所述腔室內環境進行處理;
S2、在一定腔室壓力條件下,清除所述腔室內的顆粒污染。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于,步驟S1的工藝條件為:腔室壓力5-200mt,電極功率5000-18000W,反應氣體選自O2、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合,氣體總流量5000-20000sccm。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,步驟S1的工藝條件為:腔室壓力5-100mt,電極功率7000-16000W,氣體總流量8000-15000sccm。
10.如權利要求7所述的方法,其特征在于,步驟S2的工藝條件為:腔室壓力0.1-10mt,電極功率5000-18000W,反應氣體選自O2、CL2、SF6、He中的一種或幾種的組合,氣體總流量5000-20000sccm。
11.如權利要求10所述的方法,其特征在于,步驟S2的工藝條件為:腔室壓力0.5-1.0mt,電極功率7000-16000W,氣體總流量9000-13000sccm。
12.如權利要求7~11中任一項所述的方法,其特征在于,步驟S2的處理時間長于步驟S1的處理時間。
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