[發明專利]噴淋頭電極總成和包含該噴淋頭電極總成的等離子體處理室

有效

• 申請號: 201210273737.1
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號: CN102766855A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 格雷格·貝當古;拉金德爾·德辛德薩;喬治·迪爾克斯;蘭德爾·A·哈丁;喬恩·科爾;杜安·萊特爾;阿列克謝·馬拉赫塔諾夫;羅杰·帕特里克;約翰·佩格;莎倫·斯賓塞
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種硅基噴淋頭電極，其包含：

背部、前部和從該硅基噴淋頭電極的背部延伸到該硅基噴淋頭電極的前部的多個噴淋頭通道，其中所述硅基噴淋頭電極包含單晶硅；和

沿著該硅基噴淋頭電極的背部在該單晶硅中形成的多個部分缺口，該多個部分缺口在每一個該多個部分缺口和該硅基噴淋頭電極的前部之間留下一定厚度的單晶硅。

2.根據權利要求1所述的硅基噴淋頭電極，其中，所述硅基噴淋頭電極進一步包含位于沿著該硅基噴淋頭電極的背部的該多個部分缺口中的一個的背部插入件。

3.根據權利要求2所述的硅基噴淋頭電極，其中，所述背部插入件的硬度不超過該單晶硅的硬度。

4.根據權利要求2所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件包含聚醚醚酮（PEEK），該聚醚醚酮被配置和制造為該背部插入件的硬度不超過該單晶硅的硬度。

5.根據權利要求2所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件位于該多個部分缺口中的一個，以便該背部插入件相對于該硅基噴淋頭電極的背部被嵌入。

6.根據權利要求2所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件包含工具嚙合部和被配置為允許工具嚙合該背部插入件而不延伸超出該插入件的邊緣的一個或多個橫向遮蔽部分。

7.根據權利要求2所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件被配置為在該硅基噴淋頭電極的背部中形成的該多個部分缺口中的一個中的錨。

8.根據權利要求7所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件包含接頭，該接頭以插入并旋轉的方式補充在該單晶硅中形成的底切部分。

9.根據權利要求8所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件以彈簧負載狀態固定在該多個缺口中的一個中。

10.根據權利要求9所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件的外徑尺寸和該接頭的大小和形狀以允許該插入件在彈簧負載狀態時在該多個部分缺口中的一個中移動。

11.根據權利要求7所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件通過在該單晶硅中形成的螺紋部分固定在該多個部分缺口中的一個中。

12.根據權利要求7所述的硅基噴淋頭電極，其中，該多個部分缺口中的一個包含底切部，且該背部插入件固定在該多個部分缺口中的一個中，以便該背部插入件至少部分延伸到該多個部分缺口中的一個的該底切部分中。

13.根據權利要求7所述的硅基噴淋頭電極，其中，該背部插入件為包含背部延長部的立柱。

14.根據權利要求1所述的硅基噴淋頭電極，其中，每一個該多個部分缺口和該硅基噴淋頭電極的前部之間的單晶硅的厚度至少是約0.25厘米。

15.根據權利要求1所述的硅基噴淋頭電極，其中，每一個該多個部分缺口和該硅基噴淋頭電極的前部之間的單晶硅的厚度至少是該硅基噴淋頭電極的總厚度的約25%。

16.根據權利要求1所述的硅基噴淋頭電極，其中，所述硅基噴淋頭電極是單片、環形噴淋頭。

17.根據權利要求1所述的硅基噴淋頭電極，其中，所述硅基噴淋頭電極是包含環形中心電極和圍繞該中心電極的圓周排列的一個或多個周邊電極的多元件、環形噴淋頭。