[發(fā)明專利]噴淋頭電極總成和包含該噴淋頭電極總成的等離子體處理室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210273737.1 | 申請日: | 2008-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102766855A | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 格雷格·貝當古;拉金德爾·德辛德薩;喬治·迪爾克斯;蘭德爾·A·哈丁;喬恩·科爾;杜安·萊特爾;阿列克謝·馬拉赫塔諾夫;羅杰·帕特里克;約翰·佩格;莎倫·斯賓塞 | 申請(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴淋 電極 總成 包含 等離子體 處理 | ||
本申請是申請日為2008年9月9日,申請?zhí)枮?00880121177.X,申請人為朗姆研究公司,名稱為“噴淋頭電極總成和包含該噴淋頭電極總成的等離子體處理室”的專利申請的分案申請。?
背景技術(shù)
本發(fā)明大體涉及等離子體處理,尤其涉及等離子體處理中使用的等離子體處理室和電極總成。等離子體處理裝置可用于通過各種技術(shù)處理襯底,包括但不限于,刻蝕、物理氣相沉積、化學氣相沉積、離子注入、抗蝕劑(resist)除去等。舉例來說(而不是用限制的方式),一種類型的等離子體處理室包含上電極(通常被稱為噴淋頭電極)和下電極。在這些電極之間建立電場以將處理氣體激勵到等離子態(tài)以處理反應(yīng)室中的襯底。?
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式,提供一種包含熱控制板、硅基噴淋頭電極和緊固硬件的電極總成,其中該硅基噴淋頭電極包含在該硅基噴淋頭電極的背部中形成的多個部分缺口和位于該部分缺口中的背部插入件。該熱控制板包含被配置為允許緊固硬件進入(access)該背部插入件的緊固硬件通道。該緊固硬件和該背部插入件被配置為保持該熱控制板和該硅基噴淋頭電極的嚙合并允許該熱控制板和該硅基噴淋頭電極的拆卸,在拆卸過程中隔離該硅基?噴淋頭電極的該硅基電極材料與該緊固硬件免于摩擦接觸。?
相應(yīng)于本發(fā)明的另一個實施方式,提供一種包含真空源、處理氣體供應(yīng)、等離子體電力供應(yīng)、襯底支座和上電極總成的等離子體處理室,其中該上電極總成被制造為包括本發(fā)明的一個或多個方面。?
相應(yīng)于本發(fā)明的又一個實施方式,提供一種包含熱控制板、硅基噴淋頭電極和緊固硬件的電極總成,其中該硅基噴淋頭電極包含在該硅基噴淋頭電極的背部中形成的多個螺紋部分缺口。該熱控制板包含被配置為允許緊固硬件進入該螺紋部分缺口的緊固硬件通道且該緊固硬件沿著該硅基噴淋頭電極的背部嚙合該螺紋部分缺口。?
附圖說明
結(jié)合附圖,閱讀下面對本發(fā)明的具體實施方式的詳細說明,可以更好的理解本發(fā)明,其中同類的結(jié)構(gòu)用同類的參考標號表示,且其中:?
圖1是包含本發(fā)明的實施方式的特定方面的等離子體處理室的示意圖;?
圖2是依照本發(fā)明的一個實施方式的噴淋頭電極的背部的俯視圖;?
圖3是依照本發(fā)明的一個實施方式的噴淋頭電極的一部分的橫截面示意圖;?
圖4是依照本發(fā)明的一個實施方式的噴淋頭電極的背部和厚度尺寸的等比示意圖;?
圖5是依照本發(fā)明的一個實施方式,包括緊固硬件的電極總成的橫截面示意圖;?
圖6、7、8A和9是依照本發(fā)明的一些替代實施方式,包括緊固硬件的電極總成的一部分的橫截面示意圖;?
圖8B和8C是為了闡明圖8A中描繪的主題的結(jié)構(gòu)和操作而展示的示意圖;?
圖10和11描繪了依照本發(fā)明的進一步的替代實施方式的電極總成的緊固硬件和補充機加工部分。?
具體實施方式
本發(fā)明的各個方面是以等離子體處理室10為背景描繪的,其在圖1中只是示意性地進行描繪以避免將本發(fā)明的思想限定于特定的等離子體處理配置或元件,這些配置或元件可能不是本發(fā)明的主題的組成部分。如圖1中大體描繪的,等離子體處理室10包含真空源20、處理氣體供應(yīng)30、等離子體電力供應(yīng)40、襯底支座50(包括下電極總成55)和上電極總成100。?
參考圖2-5,描繪了依照本發(fā)明的一個實施方式的上電極總成100。通常,電極總成100包含緊固硬件60、定位銷66、熱控制74板70、硅基(silicon-based)噴淋頭電極80和位于熱控制板70的前部和硅基噴淋頭電極80的背部82之間的導(dǎo)熱墊圈75。更具體地說,熱控制板70包含背部72、前部74和被配置為將處理氣體導(dǎo)向熱控制板70的前部74的一個或多個處理氣體通道76。盡管本發(fā)明不限于特定的熱控制板材料或處理氣體通道配置,然而注意到,合適的熱控制板材料包括鋁、鋁合金或類似的導(dǎo)熱體。還注意到,設(shè)計可以基于各種教導(dǎo),包括但不限于公開號為2005/0133160的美國專利公開。?
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





