[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201210273721.0
• 申請日: 2012-08-02
• 公開（公告）號: CN103578963A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 王桂磊;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/768;H01L29/417;H01L23/538
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種W金屬層淀積制造方法，包括：

預熱晶片；

采用ALD工藝，在晶片上沉積W成核層；

采用CVD工藝，在W成核層上沉積W金屬層。

2.如權利要求1的W金屬層淀積制造方法，其中，預熱晶片之后、沉積W成核層之前進一步包括：采用CVD工藝，在晶片上沉積單原子硅層。

3.如權利要求1的W金屬層淀積制造方法，其中，ALD工藝溫度為250～350℃。

4.如權利要求1的W金屬層淀積制造方法，其中，ALD工藝沉積速率為/周期～/周期。

5.如權利要求1的W金屬層淀積制造方法，其中，W成核層厚度為

6.如權利要求1的W金屬層淀積制造方法，其中，ALD工藝的前驅物為B₂H₆與WF₆。

7.一種半導體器件，包括下層器件結構、下層器件結構之上的層間介質層、層間介質層中與下層器件結構接觸的阻擋層/粘附層、阻擋層/粘附層上的W金屬層，其特征在于：阻擋層/粘附層與W金屬層之間還包括W成核層。

8.如權利要求7的半導體器件，其中，W成核層厚度為

9.如權利要求7的半導體器件，其中，阻擋層/粘附層包括Ti、Ta、TiN、TaN及其組合。