[發明專利]封裝基板及其制作方法、芯片封裝結構及芯片封裝體制作方法無效
| 申請號: | 201210272752.4 | 申請日: | 2012-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN103579009A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 胡竹青;許詩濱;周鄂東 | 申請(專利權)人: | 富葵精密組件(深圳)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/488;H01L23/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 及其 制作方法 芯片 結構 體制 方法 | ||
技術領域
本發明涉及芯片封裝技術領域,尤其涉及一種封裝基板及其制作方法、芯片封裝結構及芯片封裝體的制作方法。
背景技術
封裝基板可為芯片提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效,以實現多引腳化,縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。
在采用封裝基板對芯片進行封裝的過程中,當封裝基板的厚度較小時,需要采用硬性的承載板進行支撐。現有技術中,通常同時制作正反兩個基板同時進行封裝,而將承載板設置在兩個基板之間。為了能夠使得封裝后得到的正反兩面的芯片封裝體相互分離,通常需要采用一種特殊的銅箔作為承載板與封裝基板相連接的部分。所述特殊的銅缽為兩層銅箔之間夾設一層膠層的結構,并且兩層銅箔的厚度不同。這種銅箔的價格昂貴,增加了芯片封裝的成本。
發明內容
因此,有必要提供一種封裝基板及其制作方法、芯片封裝結構及芯片封裝體的制作方法,以降低芯片封裝的成本。
一種封裝基板,其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個導電接點、介電層及導電線路層,所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面,所述多個導電接點形成于所述濺鍍銅層遠離所述銅箔基板的表面,所述介電層位于所述導電線路層合所述濺鍍銅層之間,所述介電層內形成有與多個導電接點一一對應的多個導電盲孔,所述導電線路層包括與多個導電盲孔一一電導通的多條導電線路及與所述多條導電線路一一電連接的多個連接墊,每個導電接點通過一個對應的導電盲孔、一條對應的導電線路與一個對應的連接墊相互電導通。
一種封裝基板的制作方法,包括步驟:提供第一銅箔基板、膠片及第二銅箔基板,并將膠片壓合在第一銅箔基板與第二銅箔基板之間得到承載基板,所述承載基板具有相對的第一表面和第二表面;在所述第一表面形成第一濺鍍銅層,在所述第二表面形成第二濺鍍銅層;在所述第一濺鍍銅層上電鍍形成多個第一導電接點,在所述第二濺鍍銅層上電鍍形成多個第二導電接點;在所述多個第一導電接點及第一濺鍍銅層上壓合第一介電層及第一導電層,在多個所述第二導電接點及第二濺鍍銅層上壓合第二介電層及第二導電層;在第一介電層及第一導電層內形成與多個第一導電接點一一對應的多個第一導電盲孔,并將第一導電層制作形成第一導電線路層,所述第一導電線路層包括與多個第一導電盲孔一一電導通的多條第一導電線路及與所述多條第一導電線路一一電連接的多個第一連接墊,使得每個第一導電接點通過一個對應的第一導電盲孔、一條對應的第一導電線路與一個對應的第一連接墊相互電導通,在第二介電層及第二導電層內形成多個第二導電盲孔,并將第二導電層制作形成多根第二導電線路及多個第二連接墊,每個第二導電接點通過對應的第二導電盲孔及第二導電線路與第二連接墊相互電導通,從而獲得多層基板;以及在第一銅箔基板及第二銅箔基板之間對所述多層基板進行分割,并去除第一銅箔基板與第二銅箔基板之間的膠片,從而得到兩個相互分離的封裝基板。
一種芯片封裝結構,其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個導電接點、介電層、導電線路層、防焊層及芯片,所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面,所述多個導電接點形成于所述濺鍍銅層遠離所述銅箔基板的表面,所述介電層位于所述導電線路層合所述濺鍍銅層之間,所述介電層內形成有與多個導電接點一一對應的多個導電盲孔,所述導電線路層包括與多個導電盲孔一一電導通的多條導電線路及與所述多條導電線路一一電連接的多個連接墊,每個導電接點通過一個對應的導電盲孔、一條對應的導電線路與一個對應的連接墊相互電導通,所述防焊層覆蓋所述多條導電線路的表面以及從導線線路層暴露出的介電層的表面,并暴露出所述多個連接墊,每個連接墊表面形成有金層,所述芯片設置于防焊層表面,并通過鍵合線與每個連接墊表面的所述金層電連接。
一種芯片封裝體的制作方法,包括步驟:提供所述的封裝基板;
在封裝基板上封裝一個芯片,使得芯片與導電線路層的連接墊電連接;將封裝基板中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離;去除每個封裝基板中的濺鍍銅層,以暴露出所述多個導電接點;以及在封裝基板中的每個導電接點上均形成一個焊球,從而得到芯片封裝體。
一種芯片封裝體的制作方法,包括步驟:提供所述的封裝結構;
將封裝結構中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離;去除濺鍍銅層,以暴露出所述多個導電接點;以及在封裝結構中的每個導電接點上均形成一個焊球,從而得到芯片封裝體。
一種芯片封裝體的制作方法,包括步驟:提供兩個銅箔基板及一個膠片,并將膠片壓合在所述兩個銅箔基板之間得到承載基板,所述承載基板具有相對的兩個濺鍍表面;在每個濺鍍表面均濺鍍形成一層濺鍍銅層;在每層濺鍍銅層上通過電鍍形成多個導電接點;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





