[發明專利]IC管芯、半導體封裝、印制電路板和IC管芯制造方法

有效

• 申請號: 201210272108.7
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN102916010A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 菲爾·魯特
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/92;H01L23/31;H01L21/82;H05K1/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種集成電路管芯，包括將源極區和漏極區(102)之一與半導體區(104)隔開的襯底(110)，所述集成電路包括：

縱向晶體管區(100)，包括：

所述源極區或者漏極區；

在延伸進入所述半導體區的溝槽中形成的柵極電極(115)，所述柵極電極通過所述溝槽中的電介質襯里(118)與所述半導體區電絕緣；以及

在所述半導體區中的所述源極區和漏極區中的另一個；

終止所述縱向晶體管區的絕緣溝槽；以及

與所述縱向晶體管區(100)相鄰的縱向電容器區(200)，所述縱向電容器區(200)的第一電容器極板包括通過所述襯底(110)與所述半導體區(104)隔開的所述源極區或者漏極區(102)，所述縱向電容器區還包括延伸進入所述半導體區(104)的至少一個溝槽，所述至少一個溝槽包括電絕緣襯里材料(204)，所述襯里材料使得限定了第二電容器極板的導電材料(202)與所述第一電容器極板(102)電絕緣。

2.根據權利要求1所述的集成電路管芯，其中所述縱向電容器區(200)包括多個所述溝槽，其中在所述溝槽之間的所述半導體區(104)部分包括雜質。

3.根據權利要求1或2中所述的集成電路管芯，其中所述縱向電容器區(200)的至少一個溝槽延伸進入所述襯底(110)。

4.一種半導體封裝(10)，包括：

第一電壓端(12)；

第二電壓端(14)；

包括第一MOSFET(100)的第一管芯，所述第一MOSFET具有與所述第一電壓端電連接的漏極區(102)并且還具有源極區(104)；以及

與所述第一管芯相鄰的第二管芯，所述第二管芯包括第二MOSFET(100’)，所述第二MOSFET具有與所述第一MOSFET的源極區電連接的漏極區并且具有所述第二電壓端電連接的源極區，

其中所述第一管芯或者所述第二管芯是根據權利要求1至3中任一項所述的集成電路管芯，并且其中所述縱向電容器(200)的極板(102，202)之一與所述第一MOSFET的漏極區電連接，并且所述極板(102，202)的另一個與所述第二MOSFET的源極區電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝(10)，其中所述第一MOSFET(100’)的漏極區和所述電容器(200)的第一極板(102)共享所述第一管芯的相同摻雜區。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝(10)，其中所述第二MOSFET(100’)的源極區和所述電容器(200)的第一極板(102)共享所述第一管芯的相同摻雜區。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的半導體封裝(10)，其中所述第一MOSFET(100)和所述第二MOSFET(100’)每一個都包括柵極電極(18，18’)，所述封裝還包括集成電路，所述集成電路包括與各個電極電連接的驅動器電路(300)。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝(10)，其中所述集成電路還包括脈沖寬度調制電路。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝(10)，還包括另一集成電路，所述另一集成電路包括脈沖寬度調制電路。

10.根據前述權利要求中任一項所述的半導體封裝(10)，其中所述第一電壓端(12)包括電源電壓端并且所述第二電壓端(14)包括接地端。

11.一種印制電路板，載有根據權利要求4至10中任一項所述的半導體封裝(10)。