[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210270189.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103178035A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林子閎;黃清流;童耿直 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/488 | 分類號(hào): | H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京萬(wàn)慧達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;楊穎 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝,特別是有關(guān)于一種覆晶封裝體的阻焊層設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)
對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的覆晶封裝體而言,眾所周知覆晶填充材料(underfill)通過(guò)大幅降低導(dǎo)電凸塊的應(yīng)力的方式來(lái)保護(hù)導(dǎo)電凸塊。然而,覆晶填充材料本身會(huì)遭受剪應(yīng)力(shear?stress)或掀拉應(yīng)力(peeling?stress),因而會(huì)導(dǎo)致失效模式(failure?mode)。舉例來(lái)說(shuō),具有空隙(voids)或微裂縫(microcracks)的有瑕疵的覆晶填充材料,在高低溫循環(huán)條件(under?temperature?cycling?condition)下會(huì)導(dǎo)致裂縫(cracks)或分層(delamination)等問(wèn)題。
因?yàn)橛袡C(jī)覆晶填充材料和無(wú)機(jī)導(dǎo)線(inorganic?conductive?trace)之間的熱膨脹系數(shù)(coefficient?ofthermal?expansion,CTE)的不匹配,所以會(huì)在例如覆晶填充材料和導(dǎo)線的兩種材料的界面產(chǎn)生分層(delamination),而上述分層為失效模式的其中一種。當(dāng)覆晶填充材料分層產(chǎn)生時(shí),因?yàn)楦簿畛洳牧系谋Wo(hù)能力喪失和覆晶填充材料分層造成應(yīng)力上升(stress?concentration?arising),而通常導(dǎo)致導(dǎo)電凸塊產(chǎn)生疲勞裂縫(fatigue?crack)。
在本技術(shù)領(lǐng)域中,需要一種不具有覆晶填充材料分層問(wèn)題的新的覆晶封裝體。
發(fā)明內(nèi)容
由此,本發(fā)明的目的在于提供改良式的半導(dǎo)體封裝,以解決覆晶填充材料分層的問(wèn)題。
一種半導(dǎo)體封裝的范例實(shí)施方式,包括:基板;阻焊層,設(shè)置于所述基板上,且具有延伸部分,所述延伸部分覆蓋所述第一導(dǎo)線的一部分,其中所述阻焊層的所述延伸部分的寬度大于所述第一導(dǎo)線的所述部分的寬度;以及半導(dǎo)體芯片,設(shè)置于所述第一導(dǎo)線的上方。
一種半導(dǎo)體封裝的另一范例實(shí)施方式,包括:基板;第一導(dǎo)線,設(shè)置于所述基板上;阻焊層,設(shè)置于所述基板上,且具有延伸部分,所述延伸部分覆蓋所述第一導(dǎo)線的一部分,其中所述阻焊層的所述延伸部分具有垂直側(cè)壁,所述垂直側(cè)壁凸出于與其相鄰的所述第一導(dǎo)線的所述部分的側(cè)壁;以及半導(dǎo)體芯片,設(shè)置于所述第一導(dǎo)線的上方。
本發(fā)明所公開(kāi)的半導(dǎo)體封裝,通過(guò)阻焊層與第一導(dǎo)線的配合,可改善現(xiàn)有技術(shù)中的在覆晶填充材料和導(dǎo)線之間發(fā)生的覆晶填充材料分層的問(wèn)題。
對(duì)于已經(jīng)閱讀后續(xù)由各附圖及內(nèi)容所顯示的較佳實(shí)施方式的本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),本發(fā)明的各目的是明顯的。
附圖說(shuō)明
圖1本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的俯視圖。
圖2為沿圖1的A-A'切線的剖視圖。
圖3為沿圖1的B-B'切線的剖視圖。
圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的俯視圖。
圖5為沿圖4的A-A'切線的剖視圖。
圖6為沿圖4的B-B'切線的剖視圖。
具體實(shí)施方式
在權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)中使用了某些詞匯來(lái)指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)可理解,硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同樣的組件。本權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)分組件的方式,而是以組件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)中所提及的「包括」為開(kāi)放式的用語(yǔ),故應(yīng)解釋成「包括但不限定于」。以下以各實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明并伴隨著圖式說(shuō)明的范例,作為本發(fā)明的參考依據(jù)。在圖式或說(shuō)明書(shū)描述中,相似或相同的部分均使用相同的圖號(hào)。且在圖式中,實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大,以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。再者,圖式中各組件的部分將以分別描述說(shuō)明之,值得注意的是,圖中未繪示或描述的組件,為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所知的形式,另外,特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式,其并非用以限定本發(fā)明。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聯(lián)發(fā)科技股份有限公司,未經(jīng)聯(lián)發(fā)科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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