[發明專利]半導體封裝

有效

• 申請號: 201210270189.7
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103178035A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 林子閎;黃清流;童耿直
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;楊穎

1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

基板；

第一導線，設置于所述基板上；

阻焊層，設置于所述基板上，且具有延伸部分，所述延伸部分覆蓋所述第一導線的一部分，其中所述阻焊層的所述延伸部分的寬度大于所述第一導線的所述部分的寬度；以及

半導體芯片，設置于所述第一導線的上方。

2.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

第二導線，設置于所述基板上；以及

導電柱狀物，設置于所述第二導線上，連接至所述半導體芯片的導電凸塊。

3.如權利要求2所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層遠離所述第二導線與所述導電柱狀物的重疊部分，且與所述重疊部分相距一段距離。

4.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

第二導線，設置于所述基板上；以及

焊錫凸塊，設置于所述第二導線上，連接至所述半導體芯片的接合墊。

5.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括覆晶填充材料，填充所述基板和所述半導體芯片之間的間隙，且覆蓋所述阻焊層。

6.如權利要求5所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分的底面的一部分暴露于所述第一導線的所述部分之外。

7.如權利要求6所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分的所述底面的所述部分被所述覆晶填充材料包裹。

8.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分與所述第一導線的所述部分兩者共同具有T形剖面。

9.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分位于所述半導體芯片的下方，且位于所述半導體芯片的投影區域內。

10.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分具有垂直側壁，所述垂直側壁凸出于與其相鄰的所述第一導線的所述部分的側壁。

11.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分沿所述第一導線延伸，且延伸至所述半導體芯片的底面的下方。

12.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

基板；

第一導線，設置于所述基板上；

阻焊層，設置于所述基板上，且具有延伸部分，所述延伸部分覆蓋所述第一導線的一部分，其中所述阻焊層的所述延伸部分具有垂直側壁，所述垂直側壁凸出于與其相鄰的所述第一導線的所述部分的側壁；以及

半導體芯片，設置于所述第一導線的上方。

13.如權利要求12所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

第二導線，設置于所述基板上；以及

導電柱狀物，設置于所述第二導線上，連接至所述半導體芯片的導電凸塊。

14.如權利要求13所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層遠離于所述第二導線與所述導電柱狀物的重疊部分，且與所述重疊部分相距一段距離。

15.如權利要求12所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

第二導線，設置于所述基板上；以及

焊錫凸塊，設置于所述第二導線上，連接至所述半導體芯片的接合墊。

16.如權利要求12所述的半導體封裝，其特征在于，還包括覆晶填充材料，填充所述基板和所述半導體芯片之間的間隙，且覆蓋所述阻焊層。

17.如權利要求16所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分的底面的一部分暴露于所述第一導線的所述部分之外。

18.如權利要求17所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分的所述底面的所述部分被所述覆晶填充材料包裹。

19.如權利要求12所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分與所述第一導線的所述部分兩者共同具有T形剖面。

20.如權利要求12所述的半導體封裝，其特征在于，所述阻焊層的所述延伸部分位于所述半導體芯片的下方，且位于所述半導體芯片的投影區域內。