[發明專利]用于處理基板的設備和方法有效
| 申請號: | 201210269687.X | 申請日: | 2012-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103035551A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發明(設計)人: | 金鵬;權五珍;張成豪;樸周緝 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;F26B9/06;F26B25/00 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國忠淸南道天*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 設備 方法 | ||
技術領域
這里公開的本發明涉及處理基板的設備和方法,并且更具體地涉及通過超臨界工藝處理基板的設備和方法。
背景技術
半導體器件通過多種工藝制成,諸如光刻工藝,其中,光刻工藝在諸如硅片的在基板上形成電路圖案。在這樣的工藝期間,產生多種污染物,諸如微粒、有機污染物和金屬雜質。這樣的污染物在基板上導致缺陷并且由此影響半導體器件性能和處理產出率。因此,在半導體器件制造工藝中包括清洗工藝以除去污染物。
例如,清洗工藝包括:化學工藝,其中使用化學制品將污染物從基板去除;洗選工藝,其中使用純水洗去化學制品;和干燥工藝,其中基板被干燥。在這樣的干燥工藝中,用諸如異丙醇(IPA)的有機溶劑替換純水,所述有機溶劑諸如具有比較低的表面張力,并且有機溶劑被蒸發。
然而,雖然有機溶劑被用于干燥工藝,但在具有30nm或更小的線寬的精細電路圖案的半導體器件中,所述干燥工藝可導致圖案皺縮。由此,代替此種干燥工藝,增加了對超臨界干燥工藝的使用。
發明內容
本發明被提供用以通過使用超臨界流體來干燥基板的非圖案側以及基板的圖案側。
另外,本發明被提供以防止基板在超臨界工藝中傾斜。
本發明的特征和方面不局限于上述的這些特征和方面,通過下面的描述和附圖,本發明的其它的特征和方面將被本領域技術人員清晰地理解。
本發明的實施例提供了一種用于處理基板的設備,所述設備包括:殼體,所述殼體提供用于執行工藝的空間;支撐構件,所述支撐構件設置在所述殼體中以支撐基板;供給口,所述供給口構造成將處理液供給到所述殼體;遮蔽構件,所述遮蔽構件設置在所述供給口和所述支撐構件之間以阻止所述處理液直接注入到所述基板;和排出口,所述排出口構造成將所述處理液從殼體排出。
在一些實施例中,所述供給口可包括設置在所述殼體的不同的表面處的第一供給口和第二供給口,并且所述遮蔽板可以設置在所述支撐構件和所述第一供給口之間。
在其它的實施例中,所述第一供給口可以設置在所述殼體的下表面處以將所述處理液注入到所述基板的底側的中央區域,并且所述第二供給口可以設置在所述殼體的上表面處以將所述處理液注入到所述基板的頂側的中央區域。
還在其它的實施例中,所述設備可進一步包括控制器,所述控制器執行控制操作以通過所述第一供給口并且然后通過所述第二供給口供給處理液。
還在其它的實施例中,所述設備可進一步包括支撐件,所述支撐件從所述殼體的下表面延伸,其中所述遮蔽板可放置在所述支撐件上。
還在其它的實施例中,所述遮蔽板可具有大于所述基板的半徑的半徑。
在進一步的實施例中,所述工藝可以是超臨界工藝,并且所述處理液可以為超臨界流體形態。
在更進一步的實施例中,所述殼體可包括上殼體和設置在所述上殼體下方的下殼體,其中所述設備可進一步包括提升構件,所述提升構件構造成提升所述上殼體和所述下殼體中的一個。
在更進一步的實施例中,所述支撐構件可從所述上殼體向下延伸,并且所述支撐構件的下端可以水平地彎折以支撐所述基板的邊緣區域。
在更進一步的實施例中,所述設備可進一步包括水平定位構件,所述水平定位構件用以調節所述上殼體的水平位置。
在一些實施例中,所述第一供給口可以設置在所述下殼體處,并且所述第二供給口可以設置在所述上殼體處。
在其它的實施例中,所述殼體可具有開口的側面并且包括垂直地可移動的門以打開和閉合所述開口的側面。
還在其它的實施例中,所述設備可進一步包括按壓構件,所述按壓構件構造成將壓力施加到所述門以閉合所述殼體。
在本發明的其它實施例中,提供了用于處理基板的方法,所述方法包括:將基板運載到殼體中;將所述基板放置在支撐構件上;將處理液供給到所述基板;阻止所述處理液直接注入到所述基板;將所述處理液從所述殼體排出;并且將所述基板運載出所述殼體。
在一些實施例中,對所述處理液的阻止可用設置在所述支撐構件和供給所述處理液的供給口之間的遮蔽板執行。
在其它的實施例中,所述處理液供給口的供給可以以如下方式執行:通過設置在所述殼體的上表面處的第一供給口朝向所述基板的頂側注入所述處理液,且通過設置在所述殼體的下表面處的第二供給口朝向所述基板的底側注入所述處理液,并且可以使用設置在所述第二支撐口和所述支撐構件之間的所述遮蔽板執行對所述處理液的阻止,從而防止朝向所述基板的底側注入的所述處理液被直接注入到所述基板。
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