[發明專利]EMI專用真空濺鍍治具制作工藝

無效

• 申請號: 201210268753.1
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103576602A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 范新宇
• 申請（專利權）人: 昆山福岡電子有限公司
• 主分類號: G05B19/18
• 分類號: G05B19/18;C23C14/04;C23C14/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種EMI專用真空濺鍍治具制作工藝，屬于機械加工技術領域。

背景技術

電磁干擾(EMI)是干擾電纜信號并降低信號完好性的電子噪音，EMI通常由電磁輻射發生源，如馬達和機器產生。EMI有傳導干擾和輻射干擾兩種，在PCB及系統設計中，高頻信號線、集成電路的引腳、各類接插件等都可能成為具有天線特性的輻射干擾源，能發射電磁波并影響其他系統或本系統內其他子系統的正常工作。

電子消費類產品，如筆記本電腦、手機、導航儀等，都容易產生EMI輻射性，傳統的方法是通過電鍍、噴涂等方法，在產品的表面覆上一層導電金屬，但傳統的方法效率低、成本高、污染嚴重，而真空濺鍍在電子產品表層鍍上導電金屬，使電磁波被導電金屬吸收或反射，采用真空濺鍍方法具有經濟、高效、無污染的優點。在真空濺鍍工藝中，可防止被濺鍍的塑膠件不變形、濺鍍區域精準、可批量循環使用并保護塑膠件的治具至關重要。現有技術中，有用PC材料制作的治具，保護精度、強度不高，可修復性不強，達不到反復使用的目的；普通的鋁材制作成的治具，加工時困難點較多，如材料加工變形、成品毛刺較多且難清理等。

基于上述治具的缺點，一種新型結構的EMI專用真空濺鍍治具應運而生，該真空濺鍍治具采用鋁合金材質制備而成，其結構包括上蓋和底座，底座上設置有與產品配套的定位塊；上蓋包括遮蔽塊，遮蔽塊通過架橋連接，架橋連接至上蓋的主體。該種結構的EMI專用真空濺鍍治具形狀復雜、加工時間長、加工細節多，加工過程容易出錯。傳統的加工方法有用銑床加工，存在加工精度低、自動化程度低、加工不到位的缺陷，有的部位根本無法加工；單用MASTERCAM編程軟件的加工方法，開粗時間很快，但3D造型加工不快，總的加工時間長，寫刀路時間長，細節的地方容易出錯；單用CIMATRON編程軟件的加工方法，開粗時間很慢，3D造型加工快而好，寫刀路計算時間長，細節的地方容易出錯，總的加工時間長；單用UG編程軟件的加工方法，程序調用慢，開粗時間很慢，3D造型加工好但速度慢，細節刀路，特別對架橋細節時間計算快，不容易出錯。上述加工方式均有各自優缺點，因此，如何綜合上述方式的優點而獲得優異的EMI專用真空濺鍍治具的制作工藝，是本發明需要解決的問題。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種EMI專用真空濺鍍治具制作工藝，以制作出一體化成型的EMI專用真空濺鍍治具。

為達到上述目的，本發明的技術方案如下：

一種EMI專用真空濺鍍治具制作工藝，所述EMI專用真空濺鍍治具包括上蓋和底座，所述底座上設置有與待真空濺鍍產品配套的定位塊，所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體，所述制作工藝包括如下步驟：

a：首先根據待真空濺鍍產品，確定產品需要EMI遮蔽的區域；

b：在確定待EMI遮蔽區域的基礎上進行3D造型制圖，采用MASTERCAM、CIMATRON與UG三種編程軟件混合使用，生成一個G代碼文件，用于確定專用EMI真空濺鍍治具的加工路徑；

c：將b步驟編寫的程序輸入機床的PLC控制器中，同時將待切割成EMI專用真空濺鍍治具的金屬板材放置在機床的定位裝置內；

d：待PLC控制器及金屬板材定位均設定完成，啟動機器，機器根據b步驟編寫的程序在PLC控制器的控制下沿指定位置對產品進行切割，通過避讓、遮蔽、架橋等設計而獲得一體化成型的EMI專用真空濺鍍治具。

優選的，所述遮蔽塊對應a步驟中所述需要EMI遮蔽的區域。

優選的，所述金屬板材的材質為鋁6061-T6合金。

通過上述技術方案，相比傳統的直接通過銑床加工的方式或單獨使用上述三種編程軟件之一的加工方式，本發明提供的EMI專用真空濺鍍治具制作工藝，其采用MASTERCAM、CIMATRON與UG三種編程軟件混合使用，生成一個G代碼文件，兼用三種軟件的優點，縮短編程時間、縮短加工時間，細節加工精準，可以有效的通過避讓、架橋等方式獲得需要尺寸及規格的EMI專用真空濺鍍治具，且通過該加工工藝獲得的EMI專用真空濺鍍治具在使用時具有組裝簡單、定位精準、保護塑膠產品不變形、不刮傷塑膠產品、可修復性強及壽命長等優點，且批量加工及使用成本較低。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施中的技術方案，下面將對實施例或描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為實施例所公開的EMI專用真空濺鍍治具的上蓋結構示意圖；

圖2為實施例所公開的EMI專用真空濺鍍治具的底座結構示意圖；