[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210268161.X
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN102916095A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜崇義;林川發(fā);廖經(jīng)桓
• 申請（專利權(quán)）人: 華新麗華股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/50
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光二極管，且特別是關(guān)于一種可提升出光效率的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

隨著科技的發(fā)展，各式照明技術(shù)不斷創(chuàng)新。發(fā)光二極管為照明技術(shù)發(fā)展上的一項(xiàng)重要里程碑。發(fā)光二極管具有效率高、壽命長、不易破損等優(yōu)點(diǎn)，使得發(fā)光二極管廣泛地應(yīng)用于各式電子裝置與燈具中。

發(fā)光二極管大致可區(qū)分為以下二種：第一種為水平式發(fā)光二極管，其兩個電極在發(fā)光二極管晶片的外延層同側(cè)，且可進(jìn)一步細(xì)分為以打線(wire-bounding)方式與電極連接以及以覆晶(flip-chip)方式與電極連接的兩種結(jié)構(gòu)；而第二種為垂直式發(fā)光二極管，其兩個電極分別位于外延層的不同側(cè)。然而，無論是何種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其外延層的延伸方向都平行于電極，因此，上述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)皆以最大的出光面面向電路板，導(dǎo)致出光效率的降低。再者，無論是何種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，皆須以外部填充膠封裝發(fā)光二極管，徒增工藝成本及工時。

有鑒于此，提供一種工藝簡易、成本降低且可提升出光效率的發(fā)光二極管，實(shí)為業(yè)界所亟需努力的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管，此種發(fā)光二極管的出光效率高、工藝可簡化且可降低成本。

為達(dá)前述目的，本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管，包括一側(cè)向堆迭的半導(dǎo)體復(fù)合層以及一螢光基板。螢光基板包覆于半導(dǎo)體復(fù)合層的一側(cè)面上。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管，包括一側(cè)向堆迭的半導(dǎo)體復(fù)合層、一第一螢光基板、一第二螢光基板、一螢光覆層、一第一電極以及一第二電極。半導(dǎo)體復(fù)合層包括相對的一第一半導(dǎo)體層與一第二半導(dǎo)體層及一發(fā)光層且具有相對的一頂面與一底面，其中頂面與底面是分別垂直于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層且發(fā)光層是夾設(shè)于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間。第一螢光基板包覆于第一半導(dǎo)體層上且第二螢光基板包覆于第二半導(dǎo)體層上，螢光覆層則覆蓋于頂面上。第一電極設(shè)于底面上且與第一半導(dǎo)體層垂直連接，而第二電極設(shè)于底面上且與第二半導(dǎo)體層垂直連接。其中，第一螢光基板與第二螢光基板彼此連接。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例并配合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。

附圖說明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的外觀圖。

圖1B繪示圖1A中沿1B-1B’方向的剖視圖。

圖1A’繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管外觀圖。

圖1B’繪示圖1A’中沿1B’-1B”方向的剖視圖。

圖2繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。

圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。

主要元件符號說明：

100、100’、200、300：發(fā)光二極管

110：半導(dǎo)體復(fù)合層

111：第一半導(dǎo)體層

112：發(fā)光層

113：第二半導(dǎo)體層

110b：底面

110u：頂面

110s：側(cè)面

120：第一電極

120u、130u：上表面

130：第二電極

140：螢光覆層

150、250、350：螢光基板

151、251、3521：透光基板

151s1、251s1、351s1、351s3、352s1：第一面

151s2、251s2、351s2、351s4、352s2：第二面

1511：粗糙化結(jié)構(gòu)

152：螢光粒子

2511、3511：第一子透光基板

2512、3512：第二子透光基板

351：第一螢光基板

352：第二螢光基板

具體實(shí)施方式

請參照圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管100的外觀圖。發(fā)光二極管100包括半導(dǎo)體復(fù)合層110、第一電極120、第二電極130、螢光覆層140及螢光基板150。

半導(dǎo)體復(fù)合層110具有側(cè)面110s及相對的頂面110u與底面110b，其中頂面110u與底面110b實(shí)質(zhì)上平行，且半導(dǎo)體復(fù)合層110的側(cè)面110s實(shí)質(zhì)上垂直于半導(dǎo)體復(fù)合層110的頂面110u與底面110b，然而，由于制造公差或誤差，半導(dǎo)體復(fù)合層110的側(cè)面110s與頂面110u或底面110b間的夾角可略小于或略大于90度。