[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210268161.X
• 申請(qǐng)日: 2012-07-30
• 公開（公告）號(hào): CN102916095A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜崇義;林川發(fā);廖經(jīng)桓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華新麗華股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L33/50
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種發(fā)光二極管，包括：

一側(cè)向堆迭的半導(dǎo)體復(fù)合層；以及

一螢光基板，包覆于該半導(dǎo)體復(fù)合層的一側(cè)面上。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該螢光基板包括：

一透光基板，具有相對(duì)的一第一面與一第二面，該透光基板的該第一面與該半導(dǎo)體復(fù)合層的該側(cè)面連接；以及

數(shù)個(gè)螢光粒子，分布于該透光基板內(nèi)，且所述螢光粒子的分布密度自該透光基板的該第一面往該第二面遞增或遞減。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該螢光基板包括一透光基板，該透光基板具有相對(duì)的一第一面與一第二面，該透光基板的該第一面與該半導(dǎo)體復(fù)合層的該側(cè)面連接，且該透光基板的折射率分布自該透光基板的該第一面往該第二面遞增或遞減。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該螢光基板包括：

一第一子透光基板，包覆于該半導(dǎo)體復(fù)合層的該側(cè)面上；

一第二子透光基板，包覆于該第一子透光基板上；以及

數(shù)個(gè)螢光粒子，分布于該第一子透光基板與該第二子透光基板內(nèi)，且該第二子透光基板的所述螢光粒子的分布密度大于或小于該第一子透光基板的所述螢光粒子的分布密度。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該螢光基板包括：

一第一子透光基板，包覆于該半導(dǎo)體復(fù)合層的該側(cè)面；以及

一第二子透光基板，包覆于該第一子透光基板，該第二子透光基板的折射率大于或小于該第一子透光基板的折射率。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該半導(dǎo)體復(fù)合層具有一頂面，該半導(dǎo)體復(fù)合層的該頂面是垂直于該半導(dǎo)體復(fù)合層的該側(cè)面，該發(fā)光二極管更包括：

一螢光覆層，覆蓋于該半導(dǎo)體復(fù)合層的該頂面上。

7.一種發(fā)光二極管，包括：

一側(cè)向堆迭的半導(dǎo)體復(fù)合層，包括相對(duì)的一第一半導(dǎo)體層與一第二半導(dǎo)體層及一發(fā)光層且具有相對(duì)的一頂面與一底面，其中該頂面與該底面是分別垂直于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層且該發(fā)光層是夾設(shè)于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間；

一第一螢光基板，包覆于該第一半導(dǎo)體層上；

一第二螢光基板，包覆于該第二半導(dǎo)體層上；

一螢光覆層，覆蓋于該頂面上；

一第一電極，設(shè)于該底面上且與該第一半導(dǎo)體層垂直連接；以及

一第二電極，設(shè)于該底面上且與該第二半導(dǎo)體層垂直連接；

其中，該第一螢光基板與該第二螢光基板彼此連接。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該螢光覆層為一螢光膠層或一螢光基板。

9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一螢光基板與該第二螢光基板中的至少一者各包括：

一透光基板，具有相對(duì)的一第一面與一第二面，該透光基板的該第一面與該半導(dǎo)體復(fù)合層連接；以及

數(shù)個(gè)螢光粒子，分布于該透光基板內(nèi)，且所述螢光粒子的分布密度自該透光基板的該第一面往該第二面遞增或遞減。

10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一螢光基板與該第二螢光基板中的至少一者各包括：

一透光基板，具有相對(duì)的一第一面與一第二面，該透光基板的該第一面與該半導(dǎo)體復(fù)合層連接，且該透光基板的折射率分布自該透光基板的該第一面往該第二面遞增或遞減。

11.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一螢光基板與該第二螢光基板中的至少一者各包括：

一第一子透光基板，包覆于該半導(dǎo)體復(fù)合層上；

一第二子透光基板，包覆于該第一子透光基板上；以及

數(shù)個(gè)螢光粒子，分布于該第一子透光基板與該第二子透光基板內(nèi)，且該第二子透光基板的所述螢光粒子的分布密度大于或小于該第一子透光基板的所述螢光粒子的分布密度。

12.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一螢光基板與該第二螢光基板中的至少一者各包括：

一第一子透光基板，包覆于該半導(dǎo)體復(fù)合層上；以及

一第二子透光基板，包覆于該第一子透光基板上，該第二子透光基板的折射率大于或小于該第一子透光基板的折射率。