[發明專利]一種BIPV薄膜光伏組件的制作方法有效
| 申請號: | 201210266216.3 | 申請日: | 2012-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103579408A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 韓亮;周潔;熊豐;姜驥 | 申請(專利權)人: | 龍焱能源科技(杭州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/042 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 bipv 薄膜 組件 制作方法 | ||
技術領域:
本發明涉及太陽電池制造技術領域,尤其涉及一種BIPV薄膜光伏組件的制作方法。
背景技術:
光伏建筑一體化(Building?Integrated?Photovoltaics,BIPV)技術將光伏組件集成在建筑上,使之不僅具備發電功能,還同時作為建筑材料使用。尤其是作為采光型光伏組件的薄膜光伏組件,其既要滿足集成到建筑上的要求,又要具備一定的透光性。
如圖1所示,常規的薄膜光伏組件包括設置于一襯底10上的若干薄膜光伏電池11,所述若干薄膜光伏電池11通過內集成的方法實現串聯,在位于最兩端的薄膜光伏電池11處各設置有一個電極(第一電極10a和第二電極10b)分別作為組件的正負極,通過激光刻蝕的方法將組件四周的薄膜膜層去掉,使組件四周區域成為清邊區。
如圖2所示,現有的BIPV薄膜光伏組件是在常規薄膜光伏組件的基礎上得來的,包括第一電極20a和第二電極20b,透光帶22垂直于薄膜光伏電池的延伸方向,在透光帶22處,組件的膜半導體層及背電極層被激光刻蝕掉以實現透光;保留下來的部分被透光帶22分割成一系列相互獨立的子組件21,所述多個子組件21呈陣列方式排布,同一行的子組件21串聯,多行子組件21通過設置在兩端的第一電極20a和第二電極20b并聯。
其中,所述透光帶22的寬度由激光器的光斑直徑的大小決定,為了保留完整的前電極層,降低缺陷點對BIPV薄膜光伏組件功率的影響,現有的生產工藝中一般采用光斑直徑0.15mm~0.2mm的綠激光對上述常規薄膜光伏組件進行刻線,形成一系列與薄膜光伏電池延伸方向垂直且具有一定寬度和固定間隔的透光帶22。如果綠激光的光斑直徑具體為0.2mm,則所述透光帶22的寬度也為0.2mm。
但是,現有的BIPV薄膜光伏組件的輸出功率會低于具有相同工作面積的常規光伏組件的輸出功率。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明申請的目的在于提供一種BIPV薄膜光伏組件的制作方法及BIPV薄膜光伏組件,以提高輸出功率。
為實現上述目的,本發明提供了如下技術方案:
一種BIPV薄膜光伏組件的制作方法,包括:
提供一常規薄膜光伏組件,所述常規薄膜光伏組件包括多個薄膜光伏電池,所述薄膜光伏電池呈條狀;
利用激光刻線工藝對所述常規薄膜光伏組件進行處理,形成透光帶,所述透光帶的寬度在0.3mm以上。
優選的,利用激光刻線工藝對所述常規薄膜光伏組件進行處理的過程,具體包括:
利用光斑直徑為0.15mm~0.2mm的綠激光刻掉所述常規薄膜光伏組件的半導體層及背電極層,經兩次或多次刻線,形成寬度在0.3mm以上的透光帶。
優選的,利用激光刻線工藝對所述常規薄膜光伏組件進行處理的過程,具體包括:
利用光斑直徑為0.6mm~1mm的紅外激光刻掉所述常規薄膜光伏組件的半導體層、前電極及背電極層,經一次或多次刻線,形成寬度在0.3mm以上的透光帶。
優選的,所述透光帶均勻分布。
優選的,所述透光帶不均勻分布。
優選的,所述透光帶的寬度為0.5mm~5mm。
優選的,所述透光帶的寬度為1mm。
優選的,所述透光帶垂直于所述薄膜光伏電池。
一種BIPV薄膜光伏組件,包括:
多個子組件,所述多個子組件呈陣列方式排布,且同一行的子組件串聯,相鄰的兩行子組件之間設置有透光帶,所述透光帶的寬度在0.3mm以上。
本發明所提供的技術方案中,利用激光刻線工藝對常規薄膜光伏組件進行處理,形成透光帶,所述透光帶的寬度在0.3mm以上。由于增大了透光帶的寬度,則相較于現有的具有相同面積、相同透過率的BIPV薄膜光伏組件而言,本發明所提供的BIPV薄膜光伏組件具有更少的透光帶,則在制作透光帶時,對透光帶邊界處的薄膜半導體層的影響也會相應減少,進而提高了整體BIPV薄膜光伏組件的輸出功率。
此外,由于增大了透光帶的寬度,則在BIPV薄膜光伏組件透過率一定的情況下,兩透光帶之間的非透光區的寬度也會增加,從而會大大降低缺陷點對輸出功率的影響。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





