[發(fā)明專利]一種BIPV薄膜光伏組件的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210266216.3 | 申請日： | 2012-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN103579408A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓亮;周潔;熊豐;姜驥 | 申請（專利權(quán)）人： | 龍焱能源科技（杭州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠;郝鵬 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 bipv 薄膜 組件 制作方法 | ||
1.一種BIPV薄膜光伏組件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一常規(guī)薄膜光伏組件，所述常規(guī)薄膜光伏組件包括多個薄膜光伏電池，所述薄膜光伏電池呈條狀；
利用激光刻線工藝對所述常規(guī)薄膜光伏組件進(jìn)行處理，形成透光帶，所述透光帶的寬度在0.3mm以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，利用激光刻線工藝對所述常規(guī)薄膜光伏組件進(jìn)行處理的過程，具體包括：
利用光斑直徑為0.15mm~0.2mm的綠激光刻掉所述常規(guī)薄膜光伏組件的半導(dǎo)體層及背電極層，經(jīng)兩次或多次刻線，形成寬度在0.3mm以上的透光帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，利用激光刻線工藝對所述常規(guī)薄膜光伏組件進(jìn)行處理的過程，具體包括：
利用光斑直徑為0.6mm~1mm的紅外激光刻掉所述常規(guī)薄膜光伏組件的半導(dǎo)體層、前電極及背電極層，經(jīng)一次或多次刻線，形成寬度在0.3mm以上的透光帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，所述透光帶均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，所述透光帶不均勻分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，所述透光帶的寬度為0.5mm~5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，所述透光帶的寬度為1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于，所述透光帶垂直于所述薄膜光伏電池。
9.一種BIPV薄膜光伏組件，其特征在于，包括：
多個子組件，所述多個子組件呈陣列方式排布，且同一行的子組件串聯(lián)，相鄰的兩行子組件之間設(shè)置有透光帶，所述透光帶的寬度在0.3mm以上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
