[發(fā)明專利]用于KDP晶體搬運和位置調整的真空吸附裝置

有效

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• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN102765601A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設計）人: 戴一帆;關朝亮;鐵貴鵬;李圣怡;尹自強
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學
• 主分類號: B65G47/91
• 分類號: B65G47/91
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所 43008
• 代理人: 趙洪

技術領域

本發(fā)明主要涉及功能性晶體超精密加工領域，尤其涉及KDP晶體在加工過程中的搬運和位置調整的專用裝置。

背景技術

KDP（磷酸二氫鉀）晶體作為一種優(yōu)質的非線性光學晶體，在慣性約束聚變固體激光驅動器、強激光武器和核武器設備等激光和光學領域都具有廣泛應用。但是因其具有各向異性、質軟、易潮解、脆性高、對溫度變化敏感和易開裂等不利于材料加工的特點，使得KDP晶體的加工周期長、合格率低、質量不穩(wěn)定，因此KDP晶體成為目前最難加工的晶體材料之一。目前世界上公認的最有效的加工方法是單點金剛石切削技術。由于KDP晶體的尺寸一般較大(430mm×430mm)，硬度很低(莫氏硬度2.4)且極易開裂，在加工前后的搬運和位置調整過程中容易造成晶體的表面刮傷、邊緣崩碎等現象。同時，徒手搬運時人體與晶體直接接觸，會使得晶體局部溫度發(fā)生改變，產生熱應力和熱變形，影響最終加工的精度。市面上在售的通用真空吸盤對KDP晶體表面無支撐，吸附力過大時會引起晶體爆裂現象，無法使用。為此，設計一種安全簡便的方法實現KDP晶體加工前后的搬運和位置調整，對實現KDP晶體高精度的加工具有重要意義。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的技術問題在于：針對現有技術存在的不足，提供一種可有效提供KDP晶體吸附時的支撐，減小KDP晶體吸附時的變形，防止KDP晶體爆裂和被吸附面刮傷的用于KDP晶體搬運和位置調整的真空吸附裝置。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案：

一種用于KDP晶體搬運和位置調整的真空吸附裝置，包括吸盤和抽真空部件，所述吸盤的一端設有用來與KDP晶體表面貼合的平整吸附面，所述吸附面上開設有與抽真空部件連通的導氣槽。

作為本發(fā)明的進一步改進：

所述導氣槽包括多個同軸布置且直徑不同的環(huán)形槽。

所述吸盤上開設有一個以上沿環(huán)形槽徑向布置且與抽真空部件連通的調節(jié)氣孔，所述調節(jié)氣孔的內壁上開設有與環(huán)形槽數量相同的導氣孔，每個導氣孔對應連通一個環(huán)形槽，所述調節(jié)氣孔中設有能夠沿調節(jié)氣孔軸向移動并將所到之處的導氣孔封堵的調節(jié)件。

所述調節(jié)件為螺絲，所述調節(jié)氣孔的內壁上開設有與螺絲配合的內螺紋。

所述吸盤的側面開設有環(huán)繞吸盤四周的工藝槽，所述工藝槽將吸盤隔成連接端和吸附端，所述吸附面設于吸附端上。

所述連接端開設一與調節(jié)氣孔連通的螺紋孔，所述抽真空部件通過帶螺紋接頭的抽氣軟管與螺紋孔螺紋連接。

所述連接端連接一帶把手的吸盤支座，所述連接端沿著所述工藝槽開設有用來通過緊固件與吸盤支座連接的緊固件安裝孔，所述吸附端對應緊固件安裝孔的位置處開設有可使螺紋件穿過的操作孔。

所述吸盤支座上對應所述螺紋孔的位置處開設有供抽氣軟管穿過的工藝孔。

所述吸附面具有亞微米級的平面度和鏡面的表面粗糙度。

所述抽真空部件為真空發(fā)生器。

與現有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：本發(fā)明通過吸盤對KDP晶體進行加工過程中的搬運和位置調整，避免了徒手搬運和位置調整時造成的晶體刮傷和邊緣崩碎，以及人體和晶體直接接觸引起的接觸區(qū)域熱變形；同時吸盤設有用來與晶體表面貼合的平整吸附面，可有效提供KDP晶體吸附時的支撐，減小KDP晶體吸附時的變形，防止KDP晶體爆裂和被吸附面刮傷。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的立體結構示意圖。

圖2為本發(fā)明中吸盤的主視結構示意圖。

圖3為圖2中A-A向剖視結構示意圖。

圖例說明：1、抽真空部件；2、吸盤；21、吸附面；22、導氣槽；221、環(huán)形槽；23、調節(jié)氣孔；24、導氣孔；25、工藝槽；26、螺紋孔；27、操作孔；28、連接端；281、緊固件安裝孔；29、吸附端；3、吸盤支座；31、把手；32、工藝孔；33、支座螺孔；4、KDP晶體；5、調節(jié)件；6、抽氣軟管；7、進氣軟管。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。