[發(fā)明專(zhuān)利]一種刻蝕設(shè)備及其上部電極

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210265642.5
• 申請(qǐng)日: 2012-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102797012A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣冬華;李炳天;傅永義;趙吾陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23F1/08
• 分類(lèi)號(hào): C23F1/08;C30B33/12;H01J37/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及機(jī)械結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，具體涉及一種刻蝕設(shè)備及其上部電極。

背景技術(shù)

干法刻蝕是通過(guò)等離子體與未被掩模層覆蓋的膜層材質(zhì)反應(yīng)來(lái)剝離、去除膜層材質(zhì)的一種微加工方法。

現(xiàn)有技術(shù)下的干法刻蝕設(shè)備采用的是如圖1所示的上部電極，電極孔分布非常規(guī)律，布滿(mǎn)整個(gè)上部電極。這種電極孔的分布方式?jīng)]有與所刻蝕膜層的材質(zhì)相結(jié)合起來(lái)進(jìn)行分布設(shè)置，并不適用與所述的刻蝕膜層材質(zhì)，很容易造成刻蝕后的刻蝕率均一性過(guò)大，影響刻蝕的效果，其中整張玻璃基板的刻蝕率均一性=刻蝕率最大值-刻蝕率最小值/2（刻蝕率平均值）。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕設(shè)備及其上部電極，用以改善刻蝕后膜層的刻蝕率均一性。

本發(fā)明實(shí)施例的主要技術(shù)方案是：

一種刻蝕設(shè)備的上部電極，所述上部電極上設(shè)有多個(gè)電極孔，所述上部電極至少由第一區(qū)域和第二區(qū)域組成，所述電極孔在所述第一區(qū)域的分布密度和所述電極孔在所述第二區(qū)域的分布密度不同。

一種刻蝕設(shè)備，包括上述的上部電極。

本發(fā)明實(shí)施例，根據(jù)所刻蝕膜層材質(zhì)不同，改變上部電極上的電極孔的設(shè)置區(qū)域和電極孔間的間隔，從而實(shí)現(xiàn)了改善刻蝕均一性的目的。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種現(xiàn)有技術(shù)的上部電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用現(xiàn)有技術(shù)的上部電極刻蝕后的刻蝕率分布示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明的上部電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明的上部電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明的上部電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明的上部電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明上部電極的電極孔分布示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種刻蝕設(shè)備及其上部電極，用以改善刻蝕后膜層的刻蝕率均一性。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種刻蝕設(shè)備的上部電極，所述上部電極上設(shè)有多個(gè)電極孔，通過(guò)所述電極孔用以輸送刻蝕所需的氣體，所述上部電極至少由第一區(qū)域和第二區(qū)域組成，所述電極孔在所述第一區(qū)域的分布密度和所述電極孔在所述第二區(qū)域的分布密度不同。在實(shí)際工作中，需要根據(jù)刻蝕的不同的膜層材質(zhì)決定第一區(qū)域和第二區(qū)域的分布區(qū)域和其上電極孔分布密度，在一些情況下，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的電極孔分布密度可以為零。可以通過(guò)反復(fù)試驗(yàn)進(jìn)行多次調(diào)整，目的是通過(guò)改變上部電極上的電極孔的設(shè)置區(qū)域和電極孔間的間隔，改變刻蝕過(guò)程中，所用刻蝕氣體的密度，進(jìn)而減小率刻蝕均一性。

所述多個(gè)電極孔在所述第一區(qū)域優(yōu)選呈矩陣分布，便于加工生產(chǎn)。

以下提供幾個(gè)本發(fā)明的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明：

實(shí)施例一：

本實(shí)施例中選取的刻蝕膜層材質(zhì)為，SiNx(氮化硅)，使用的氣體是O2(氧氣),SF6(六氟化硫)，申請(qǐng)人首先采用現(xiàn)有技術(shù)下的布滿(mǎn)電極孔且電極孔間距相等的上部電極對(duì)SiNx進(jìn)行刻蝕，得出的刻蝕率均一性為36%左右，如圖2所示，圖中淺色的部分處刻蝕率過(guò)大造成了刻蝕率均一性不佳的問(wèn)題，根據(jù)圖2的刻蝕率分布圖，申請(qǐng)人將對(duì)應(yīng)的上部電極采用本發(fā)明中圖3所示的上部電極，將刻蝕率過(guò)高的區(qū)域不設(shè)置電極孔，以降低這部分區(qū)域的刻蝕率，經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)后，得出的刻蝕率均一性大約為24%，刻蝕率均一性降低了一半左右，達(dá)到了改善刻蝕率均一性的目的。

所述上部電極的形狀和大小可以根據(jù)需要設(shè)置，一般為長(zhǎng)方形，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的形狀和大小也可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，如圖3所示，可以為不規(guī)則圖形。為了實(shí)施方便一般設(shè)置為正方形或長(zhǎng)方形，所述上部電極一般可采用尺寸為1007*1087.5mm的長(zhǎng)方形上部電極，

以下提供幾種本發(fā)明上部電極采取尺寸為1007mm*1087.5mm時(shí)的實(shí)施例：

如圖4所示，所述第一區(qū)域設(shè)置在所述上部電極中部，所述第二區(qū)域?yàn)殡姌O孔分布密度為零的空白區(qū)域，設(shè)在所述第一區(qū)域的外圍。本圖4中為4個(gè)空白區(qū)域，設(shè)置在所述上部電極的四個(gè)邊角部位，所述空白區(qū)域的邊長(zhǎng)可以為a=b=250mm~300mm。

進(jìn)一步地，在上述情況下，根據(jù)需要，所述上部電極的中部除了設(shè)置第一區(qū)域外，也可設(shè)有所述空白區(qū)域，本發(fā)明提供一種實(shí)施例，如圖5所示，在所述第一區(qū)域的中心部位設(shè)置了空白區(qū)域。其中，本圖5中所述空白區(qū)域的邊長(zhǎng)可以設(shè)置為c=250mm~300mm,d=400mm~600mm。