[發明專利]一種OLED金屬氧化物及其制造方法

有效

• 申請號: 201210265115.4
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN102760750A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 洪孟逸
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56
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• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種OLED液晶顯示技術，尤其涉及一種OLED金屬氧化物及其制造方法。

背景技術

有機電激發光二極管（Organic?Light-Emitting?Diode，OLED）由于同時具備自發光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異之特性，被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。

由于不需要背光的特性，使得OLED非常適合作為透明顯示器之用，但主動式AM-OLED的背板(Back-plane)架構較傳統TFT復雜，圖1所示現有AM-OLED液晶顯示面板的結構示意圖，AM-OLED60需要至少兩個TFT40、50進行驅動，除了數據線(Data?Line)10與掃描線(Scanning?Line)30外，還需要提供電流的電源供應線(Source?Line)20，TFT與各信號線多以不透光的金屬構成，在配置OLED發光架構時就會影響發光區域連同透光區域也受到限制。

OLED為有機發光層上下之共通電極與透明電極提供電流通過有機層產生光線，共通電極一般亦使用不透光的金屬制作，配置在信號線外的區域，亦即發光區域多在非信號線與TFT區域，此種配置以提高發光面積為主，但透明性則受到不透光的區域與發光區域影響。

發明內容

本發明揭示一種保證發光區域面積的同時，又有效提升透明區域，充分表現OLED的特色與優點的OLED金屬氧化物及其制造方法。

本發明提供一種OLED金屬氧化物，包括：掃描線；第二TFT金屬連接線；數據線，與掃描線垂直交叉；電流供應線，與數據線平行間隔；絕緣層；第一TFT，包括：與掃描線連接的第一柵極、與數據線連接的第一源極、以及位于絕緣層上的第一TFT半導體層；第二TFT，包括：與第二TFT金屬連接線連接的第二柵極、與電流供應線連接的第二源極、位于絕緣層上的第二TFT半導體層；共通電極，覆蓋所述掃描線、第二TFT金屬連接線、數據線、電流供應線、第二TFT、以及第二TFT，且第二漏極部分露出共通電極；有機發光層，位于共通電極上；透明電極，位于有機發光層上，且透明電極與第二漏極連接。

本發明又提供一種OLED金屬氧化物一種OLED金屬氧化物的制造方法，包括如下步驟：

A）形成掃描線、信號線、電流供應線、絕緣層、第一TFT、以及第二TFT，第一TFT包括第一柵極、第一源極、以及第一TFT半導體層，第二TFT包括第二柵極、第二源極以及第二TFT半導體層；

B）形成上述圖案的基礎上形成，覆蓋一層共通電極，該共通電極覆蓋整個掃描線、信號線、電流供應線、第一TFT、以及第二TFT，并只露出部分的第二漏極；

C）在形成上述圖案的基礎上，形成與共通電極接觸的第一孔、以及與第二漏極接觸的第二孔，接著在第一孔內形成有機發光層；

D）在形成上述圖案的基礎上，形成作為覆蓋有機發光層的透明電極，該透明電極延伸至第二孔的內部并延伸至第二漏極。

本發明通過在背板上的共通電極作為主要發光區域，并使共通電極覆蓋掃描線、信號線、電流供應線、第一TFT和第二TFT，再將頂側的透明電極經由孔連接至第二漏極，在共通電極與透明電極間形成OLED發光層，如此在框狀的共通金屬外形成透明區域，可以有效提高OLED顯示器的透明度。

附圖說明

圖1是現有液晶顯示面板的結構示意圖；

圖2是本發明OLED金屬氧化物的結構示意圖；

圖2A是圖2在B-B’方向的剖視圖；

圖3是本發明OLED金屬氧化物的另一角度的結構示意圖；

圖3A是圖3在A-A’方向的剖視圖；

圖4是本發明OLED金屬氧化物制造方法的步驟之一的結構示意圖；

圖4A是圖4在B-B’方向的剖視圖；

圖4是本發明OLED金屬氧化物制造方法的步驟之一的結構示意圖；

圖4A是圖4在B-B’方向的剖視圖；

圖5是本發明OLED金屬氧化物制造方法的步驟之一的結構示意圖；

圖5A是圖5在B-B’方向的剖視圖；

圖6是本發明OLED金屬氧化物制造方法的步驟之一的結構示意圖；

圖6A是圖6在B-B’方向的剖視圖；

圖7是本發明OLED金屬氧化物制造方法的步驟之一的結構示意圖；

圖7A是圖7在B-B’方向的剖視圖；

圖8是本發明OLED金屬氧化物制造方法的步驟之一的結構示意圖；

圖8A是圖8在B-B’方向的剖視圖；