[發(fā)明專利]一種OLED金屬氧化物及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210265115.4
• 申請(qǐng)日: 2012-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN102760750A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪孟逸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種OLED金屬氧化物，其特征在于，包括：

掃描線；

第二TFT金屬連接線；

數(shù)據(jù)線，與掃描線垂直交叉；

電流供應(yīng)線，與數(shù)據(jù)線平行間隔；

絕緣層；

第一TFT，包括：與掃描線連接的第一柵極、與數(shù)據(jù)線連接的第一源極、以及位于絕緣層上的第一TFT半導(dǎo)體層；

第二TFT，包括：與第二TFT金屬連接線連接的第二柵極、與電流供應(yīng)線連接的第二源極、位于絕緣層上的第二TFT半導(dǎo)體層；

共通電極，覆蓋所述掃描線、第二TFT金屬連接線、數(shù)據(jù)線、電流供應(yīng)線、第二TFT、以及第二TFT，且第二漏極部分露出共通電極；

有機(jī)發(fā)光層，位于共通電極上；

透明電極，位于有機(jī)發(fā)光層上，且透明電極與第二漏極連接。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED金屬氧化物，其特征在于：所述絕緣層上設(shè)有第一保護(hù)層，所述共通電極位于第一保護(hù)層上。

3.如權(quán)利要求2所述的OLED金屬氧化物，其特征在于：所述共通電極上設(shè)有第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層上開設(shè)有與共通電極連接的第一孔，所述有機(jī)發(fā)光層位于第一孔內(nèi)。

4.如權(quán)利要求3所述的OLED金屬氧化物，其特征在于：還包括貫穿第二保護(hù)層、第一保護(hù)層和絕緣層并與第二漏極連接的第二孔，所述透明電極穿過該第二孔與第二漏極連接。

5.如權(quán)利要求2所述的OLED金屬氧化物，其特征在于：所述有機(jī)發(fā)光層覆蓋在共通電極上。

6.如權(quán)利要求5所述的OLED金屬氧化物，其特征在于：還包括貫穿第一保護(hù)層和絕緣層并與第二漏極連接的第二孔，所述透明電極穿過該第二孔與第二漏極連接。

7.如權(quán)利要求1所述的OLED金屬氧化物，其特征在于：所述掃描線和第二TFT金屬連接線同層金屬形成的，所述數(shù)據(jù)線和電流供應(yīng)線同層金屬形成的。

8.一種OLED金屬氧化物的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

A）形成掃描線（10）、信號(hào)線（50）、電流供應(yīng)線（60）、絕緣層（30）、第一TFT、以及第二TFT，第一TFT包括第一柵極（11）、第一源極（51）、以及第一TFT半導(dǎo)體層（41），第二TFT包括第二柵極（21）、第二源極（61以及第二TFT半導(dǎo)體層（42）；

B）形成上述圖案的基礎(chǔ)上形成，覆蓋一層共通電極(80)，該共通電極（80）覆蓋整個(gè)掃描線（10）、信號(hào)線（50）、電流供應(yīng)線（60）、第一TFT、以及第二TFT，并只露出部分的第二漏極（62）；

C）在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，形成與共通電極（80）接觸的第一孔、以及與第二漏極（62）接觸的第二孔（91），接著在第一孔內(nèi)形成有機(jī)發(fā)光層（100）；

D）在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，形成作為覆蓋有機(jī)發(fā)光層（100）的透明電極（110），該透明電極（110）延伸至第二孔（91）的內(nèi)部并延伸至第二漏極（62）。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED金屬氧化物的制造方法，其特征在于，所述步驟C），在形成有機(jī)發(fā)光層（100）之前，先形成覆蓋共通電極（80）的第二保護(hù)層（90），然后在第二保護(hù)層（90）上形成與共通電極（80）接觸的第一孔、以及與第二漏極62接觸的第二孔91。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED金屬氧化物的制造方法，其特征在于，所述步驟A）包括如下步驟：

A1）形成掃描線（10）、與掃描線（10）連接的第一柵極（11）、第二TFT金屬連接線（20）、以及與第二TFT金屬連接線（20）連接的第二柵極（21）；

A2）在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，形成絕緣層（30）,并在絕緣層（30）上形成第一TFT半導(dǎo)體層（41）和第二TFT半導(dǎo)體層（42）；

A3）在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，在絕緣層（30）開設(shè)有與第二TFT金屬連接線（20）接觸的接觸孔，接著形成信號(hào)線（50）、與信號(hào)線（50）連接的第一源極（51）、第二漏極（52）、電流供應(yīng)線（60）、與電流供應(yīng)線（60）連接的第二源極（61）、第二漏極（62），第二漏極（62）一端通過所述接觸孔與第二TFT金屬連接線20接觸。