[發明專利]一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210264634.9
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN102760755A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 焦峰
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/78;H01L51/52;H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56
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技術領域

本發明涉及一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置及其制造方法。

背景技術

圖1為現有有機發光二極管顯示器的電路結構示意圖，圖中，第一TFT3的源極32連接信號線1，第一TFT3的柵極31連接掃描線10，第一TFT3的漏極33連接第二TFT4的柵極41，第二TFT4的源極42連接電流供應線2，漏極43連接有機發光層6，用信號線1不同電平的電壓通過第一TFT3的漏極33控制第二TFT4的柵極41的開度大小，從而控制第二TFT4的漏極43的電流大小，實現不同亮度的顯示。

圖2為現有機發光二極管顯示裝置的底發射典型結構示意圖，圖1中從下到上依次為玻璃基板90、柵電極91、柵極絕緣層92、TFT金屬氧化物溝道93、源漏電極94、源漏絕緣層95、ITO透明陰極96、有機發光層97、金屬陽極98。由于下方TFT（薄膜晶體管）等遮擋，會有開口率不足的情況此種架構會限制OLED的發光效率。如為頂發光架構，則須以厚度極薄的金屬作為共通電極，會有因阻值較高導致電流不足的現象，兩種架構都會限制OLED的發光效率

發明內容

本發明的目的是提供一種氧化物有機發光二極管顯示裝置及其制造方法，解決底發光開口率不足。

本發明采用的第一種技術方案為一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置，包括：掃描線；數據線，與掃描線交叉；電流供應線，與所述數據線平行；由掃描線、數據線和電流供應線交叉限定的若干的像素單元，每個像素單元包括共通電極、位于共通電極之上的發光層、第一TFT和第二TFT，其中，第一TFT包括：第一TFT半導體層、第一TFT柵極、第一TFT源極和第一TFT漏極，第二TFT包括：第二TFT半導體層、第二TFT柵極、第二TFT源極和第二TFT漏極，所述第二TFT漏極與發光層連接。

本發明采用的第二種技術方案為一種制造金屬氧化物有機發光二極管的顯示裝置方法，包括如下步驟:

A、形成掃描線、數據線、電流供應線、第二TFT柵極連接線、以及共通電極、與掃描線連接的第一TFT柵極、以及與第二TFT柵極連接線連接的第二TFT柵極的圖案；

B、在形成上述圖案的基礎上形成一絕緣層，然后在掃描線、數據線、第二TFT柵極連接線、共通電極、電流供應線相應位置開設接觸孔；

C：在所述共通電極上的形成有機發光層；

D：在上述圖形的基礎上覆蓋一層金屬氧化物IGZO透明電極層；

E：分別在第一、第二柵極上方的IGZO層區域上形成第一、第二保護層；

F：在形成上述圖案的基礎上，通過化學方法在IGZO透明電極層上注入化學物質。

有益效果：本發明以金屬氧化物作為OLED之TFT，提出一個以底層金屬之共通電極作為陰極，在共通電極上形成OLED發光層，最后以透明電極覆蓋發光層作為陽極，構成一個頂發光之OLED結構，該方法可以改善底發光開口率不足的問題。

附圖說明

圖1為現有有機發光二極管顯示裝置的電路示意圖；

圖2為現有有機發光二極管顯示裝置的結構示意圖；

圖3（A）為本發明金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置的示意圖；

圖3（B）為圖3（A）的A-A’剖面圖；

圖4（A）為本發明在基板上以底層金屬形成信號線、電流源與共通電極的圖案的示意圖；

圖4（B）為圖4（A）的A-A’剖面圖；

圖5（A）為發發明形成絕緣層和接觸孔示意圖；

圖5（B）為圖5（A）的A-A’剖面圖；

圖6（A）為本發明形成有機發光層示意圖，

圖6（B）為圖6（A）的A-A’剖面圖；

圖7（A）為本發明形成金屬氧化物IGZO透明電極層示意圖；

圖7（B）為圖7（A）的A-A’剖面圖；

圖8（A）為本發明形成保護層示意圖；

圖8（B）為圖8（A）的A-A’剖面圖；

圖9為本發明陽離子注入示意圖.