[發明專利]一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210264634.9
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN102760755A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 焦峰
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/78;H01L51/52;H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置，其特征在于包括：

掃描線；

數據線，與掃描線交叉；

電流供應線，與所述數據線平行；

由掃描線、數據線和電流供應線交叉限定的若干的像素單元，每個像素單元包括共通電極、位于共通電極之上的發光層、第一TFT和第二TFT，其中，第一TFT包括：第一TFT半導體層、第一TFT柵極、第一TFT源極和第一TFT漏極，第二TFT包括：第二TFT半導體層、第二TFT柵極、第二TFT源極和第二TFT漏極，所述第二TFT漏極與發光層連接。

2.根據權利要求1所述一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置，其特征在于：第一TFT半導體層、第一TFT源極、與第一TFT漏極、均由金屬氧化物IGZO制成的一體結構，且第一TFT源極與第一TFT漏極是具有導體特性的透明電極。

3.根據權利要求1所述一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置，其特征在于：第二TFT半導體層、第二TFT源極、與第二TFT漏極、均由金屬氧化物IGZO制成的一體結構，且第二TFT源極與第二TFT漏極是具有導體特性的透明電極。

4.根據權利要求1所述一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置，其特征在于還包括：與第二柵極連接的第二TFT的柵極連接線，且第一TFT柵極與掃描線連接，第一TFT源極與數據線連接，第二源極與電流供應線連接。

5.根據權利要求1所述一種金屬氧化物有機發光二極管顯示裝置，其特征在于：在第一、第二TFT半導體層上方均設有保護層。

6.一種制造金屬氧化物有機發光二極管的顯示裝置方法，其特征在于：包括如下步驟:

A、形成掃描線、數據線、電流供應線、第二TFT柵極連接線、以及共通電極、與掃描線連接的第一TFT柵極、以及與第二TFT柵極連接線連接的第二TFT柵極的圖案；

B、在形成上述圖案的基礎上形成一絕緣層，然后在掃描線、數據線、第二TFT柵極連接線、共通電極、電流供應線相應位置開設接觸孔；

C：在所述共通電極上的形成有機發光層；

D：在上述圖形的基礎上覆蓋一層金屬氧化物IGZO透明電極層；

E：分別在第一、第二柵極上方的IGZO層區域上形成第一、第二保護層；

F：在形成上述圖案的基礎上，通過化學方法在IGZO透明電極層上注入化學物質。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述步驟（B）形成的接觸孔有：在掃描線開設的端子孔、在信號線上開設的第一TFT信號線接觸孔、在第二TFT柵極連接線上開設的第二TFT柵極連接線極接觸孔、在共通電極上開設的共通電極接觸孔、在電流供應線上開設的第二TFT源極接觸孔。

8.根據權利要求6所述一種制造金屬氧化物有機發光二極管的顯示裝置方法，其特征在于：所述步驟（F）中位于第一保護層一側且靠近數據線側的IGZO層成為第一TFT源極，位于第一保護層另一側的IGZO層成為第一TFT漏極；位于第二保護層一側且靠近電流供應線側的IGZO層成為第二TFT源極，位于第二保護層另一側的IGZO層成為第二TFT漏極，且第二TFT漏極位于有機發光層上。

9.根據權利要求6所述一種制造金屬氧化物有機發光二極管的顯示裝置方法，其特征在于：所述信號線、電流源與共通電極的厚度為3500-4500埃。

10.根據權利要求6所述一種制造金屬氧化物有機發光二極管的顯示裝置方法，其特征在于：所述步驟（F）中化學物體為陽離子。