[發(fā)明專利]倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210264137.9
• 申請(qǐng)日: 2012-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN103579516A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光器件，尤其涉及一種倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

1987年，美國(guó)Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，10V下亮度達(dá)到1000cd/m²，其發(fā)光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時(shí)。

OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般是制備一層電子傳輸層來(lái)提高電子的傳輸速率，再制備一層電子注入層來(lái)提高電子的注入效率，而電子的傳輸速率通常比空穴的傳輸速率要低兩三個(gè)數(shù)量級(jí)，因此，通常都是將電子傳輸層進(jìn)行n摻雜，也即是將電子傳輸層進(jìn)行金屬摻雜，如Cs鹽摻雜到Bphen中，Li鹽摻雜到TPBi中，來(lái)提高電子傳輸速率，這種方法采用較多，且可有效提高電子傳輸速率，但是，有機(jī)物與無(wú)機(jī)物之間蒸發(fā)溫度不一致，給蒸發(fā)溫度帶來(lái)困難，且速率提高的幅度不高，另外，厚度不能做得太薄（低于40nm），當(dāng)發(fā)光材料與金屬電極比較接近的時(shí)候，發(fā)光材料會(huì)與金屬電極產(chǎn)生耦合，對(duì)激子造成了損失（表面等離子激元波），厚度太厚（高于100nm），缺陷增多，則電子陷阱的存在，會(huì)使電子或空穴進(jìn)入到陷阱內(nèi)，導(dǎo)致激子復(fù)合幾率降低；所有這些進(jìn)而影響到電子傳輸速率的提高，也就導(dǎo)致了發(fā)光效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于提供一種可以提高發(fā)光效率的倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。

一種倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陰極基底、輔助電子傳輸層、第一電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽(yáng)極層；所述輔助電子傳輸層的材質(zhì)為噻吩類聚合物按照質(zhì)量百分比1~5%的比例摻雜到4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中形成的摻雜混合材料；所述輔助電子傳輸層的厚度為10~200nm。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述噻吩類聚合物為聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩或聚12-烷基噻吩。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極基底為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第一電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述第一電子傳輸層厚度為40-80nm。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；所述發(fā)光層的厚度為5-40nm。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺；所述空穴傳輸層的厚度為20-60nm。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢、或五氧化二釩；所述空穴注入層的厚度為20-80nm。

所述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陽(yáng)極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉑或金；所述陽(yáng)極層的厚度為80-250nm。

本發(fā)明還提供上述倒置底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

S1、先將陰極基底進(jìn)行光刻處理，然后清洗，去除陰極基底表面的有機(jī)污染物；

S2、制備輔助電子傳輸層：首先，將噻吩類聚合物按照質(zhì)量百分比1~5%的比例摻雜到4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中形成摻雜混合材料；其次，將所述摻雜混合材料溶于有機(jī)溶劑中，配置成質(zhì)量百分比濃度為5-20%的聚噻吩類溶液；接著，將聚噻吩類溶液旋涂在陰極基底上，并控制旋涂層的厚度為10-200nm；最后，在50-200℃下退火處理，制得所述輔助電子傳輸層；