[發明專利]倒置底發射有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201210264137.9 | 申請日: | 2012-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN103579516A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;黃輝;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒置 發射 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,包括依次層疊的陰極基底、輔助電子傳輸層、第一電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極層;所述輔助電子傳輸層的材質為噻吩類聚合物按照質量百分比1~5%的比例摻雜到4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中形成的摻雜混合材料;所述輔助電子傳輸層的厚度為10~200nm。
2.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述噻吩類聚合物為聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩或聚12-烷基噻吩。
3.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述陰極基底為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。
4.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述第一電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述第一電子傳輸層厚度為40-80nm。
5.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述發光層的材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁;所述發光層的厚度為5-40nm。
6.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺;所述空穴傳輸層的厚度為20-60nm。
7.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢、或五氧化二釩;所述空穴注入層的厚度為20-80nm。
8.根據權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件,其特征在于,所述陽極層的材質為銀、鋁、鉑或金;所述陽極層的厚度為80-250nm。
9.如權利要求1所述的倒置底發射有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、先將陰極基底進行光刻處理,然后清洗,去除陰極基底表面的有機污染物;
S2、制備輔助電子傳輸層:首先,將噻吩類聚合物按照質量百分比1~5%的比例摻雜到4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中形成摻雜混合材料;其次,將所述摻雜混合材料溶于有機溶劑中,配置成質量百分比濃度為5-20%的聚噻吩類溶液;接著,將聚噻吩類溶液旋涂在陰極基底上,并控制旋涂層的厚度為10-200nm;最后,在50-200℃下退火處理,制得所述輔助電子傳輸層;
S3、在所述輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍第一電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極層;
上述工藝完成后,制得所述倒置底發射有機電致發光器件。
10.根據權利要求9所述的倒置底發射有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,步驟S2中,所述有機溶劑為氯苯、甲苯、二氯苯或三氯甲烷。
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