[發明專利]發光裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210262797.3 | 申請日: | 2012-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN103456862A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 戴文婉 | 申請(專利權)人: | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種發光裝置及其制造方法。
背景技術
發光二極管的封裝為發光二極管裝置的主要工藝之一,良好的封裝成品不僅能夠有效提升發光二極管的光取出效率,保護內部線路及芯片,以免受潮及受損,還能提供散熱途徑以及用以連接外部線路,因此發光二極管裝置的封裝為不可輕忽的一道工藝。
而現今的透鏡型發光二極管封裝工藝多利用模制成形的方式制成,即將發光元件置于一封閉模具中,再將液態的封裝材料灌入并填滿此模具,封裝材料硬化后便可完成封裝。但其因工藝復雜性較高,更必須使用特定的機臺及模具,因此大幅提高機臺及制作成本。加上模具的制作時間較長,更增加了時間成本。另一方面,由于模具僅能制出單一種外型的透鏡型發光裝置,因此必須制造多樣的模具來符合不同需求的透鏡型發光裝置外型,同時也增加了模具成本。
發明內容
本發明的一技術態樣為一種可自成透鏡的發光裝置制造方法,其利用表面能不同的材料形成調整層,再加上封裝材料以點膠法封裝于發光元件上以自成透鏡,達到簡化工藝及縮短封裝時間的目的,更進一步的可通過調整層的不同設計而輕易達成客制化的透鏡構型。
因此,本發明的一實施方式是在提供一種可自成透鏡的發光裝置制造方法,包含下列步驟(應了解到,在本實施方式中所提及的步驟,除特別敘明其順序者外,均可依實際需要調整其前后順序,甚至可同時或部分同時執行):
(1)提供承載基板,其上設有容置區域。
(2)提供第一形狀調整層于承載基板上,第一形狀調整層具有至少一開口而暴露于容置區域。
(3)設置至少一發光元件于開口中的容置區域上。
(4)施加液態狀的封裝材料于開口中,其中第一形狀調整層的表面能比封裝材料的表面能低,以使封裝材料硬化后自行成透鏡結構覆蓋此發光元件。
在本發明一或多個實施方式中,第一形狀調整層的材料為表面能低于封裝材料的第一高分子材料。
在本發明一或多個實施方式中,其中第一高分子材料為聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意組合。
在本發明一或多個實施方式中,第一形狀調整層的材料為含有多個無機納米粒子的第二高分子材料。
在本發明一或多個實施方式中,其中無機納米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。
在本發明一或多個實施方式中,其中無機納米粒子的粒徑小于100nm。
在本發明一或多個實施方式中,更包含下列步驟:
形成第二形狀調整層位于容置區域中,其中第二形狀調整層介于承載基板與發光元件之間,或者介于發光元件與第一形狀調整層間而環繞發光元件,且第二形狀調整層的表面能比第一形狀調整層的表面能高。
在本發明一或多個實施方式中,其中第二形狀調整層的材料為含有多個無機微米粒子的第三高分子材料。
在本發明一或多個實施方式中,其中無機微米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。
在本發明一或多個實施方式中,其中發光元件包含發光二極管芯片。
在本發明一或多個實施方式中,其中封裝材料包含熱固性材料。
在本發明一或多個實施方式中,其中封裝材料包含波長轉換物質。
本發明的另一技術態樣為依上述方法所制成的發光裝置。此發光裝置包含發光元件、透鏡狀封裝材料及第一形狀調整層。封裝材料覆蓋于發光元件上。第一形狀調整層環繞發光元件周圍以及封裝材料與發光元件鄰接處,且第一形狀調整層的表面能比封裝材料的表面能低以促進封裝材料形成透鏡狀。
在本發明一或多個實施方式中,更包含承載基板,用以承載第一形狀調整層與發光元件。
在本發明一或多個實施方式中,第一形狀調整層的材料為表面能低于封裝材料的第一高分子材料。
在本發明一或多個實施方式中,其中第一高分子材料為聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意組合。
在本發明一或多個實施方式中,其中第一形狀調整層的材料更可包含有無機納米粒子的第二高分子材料。
在本發明一或多個實施方式中,其中無機納米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。
在本發明一或多個實施方式中,其中無機納米粒子的粒徑小于100nm。
在本發明一或多個實施方式中,發光裝置更包含第二形狀調整層,位于容置區域中。
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