[發明專利]發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210262797.3
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN103456862A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 戴文婉
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種可自成透鏡的發光裝置制造方法，包括：

提供一承載基板，其上設有一容置區域；

提供一第一形狀調整層于所述承載基板上，所述第一形狀調整層具有至少一開口而暴露所述容置區域；

設置至少一發光元件于所述開口中的所述容置區域上；以及

施加一液態狀的封裝材料于所述開口中，其中所述第一形狀調整層的表面能比所述封裝材料的表面能低，以使所述封裝材料硬化后自行成一透鏡結構覆蓋所述發光元件。

2.如權利要求1所述的制造方法，其中所述第一形狀調整層的材料為表面能低于所述封裝材料的第一高分子材料。

3.如權利要求2所述的制造方法，其中所述第一高分子材料為聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意組合。

4.如權利要求1所述的制造方法，其中所述第一形狀調整層的材料為含有多個無機納米粒子的第二高分子材料。

5.如權利要求4所述的制造方法，其中所述無機納米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。

6.如權利要求5所述的制造方法，其中所述無機納米粒子的粒徑小于100nm。

7.如權利要求1所述的制造方法，更包含：

形成一第二形狀調整層位于所述容置區域中，其中所述第二形狀調整層介于所述承載基板與所述發光元件之間，或者介于所述發光元件與所述第一形狀調整層間而環繞所述發光元件，且所述第二形狀調整層的表面能比所述第一形狀調整層的表面能高。

8.如權利要求7所述的制造方法，其中所述第二形狀調整層的材料為含有多個無機微米粒子的第三高分子材料。

9.如權利要求8所述的制造方法，其中所述無機微米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。

10.如權利要求1至9任一項所述的制造方法，其中所述發光元件包含一發光二極管芯片。

11.如權利要求10所述的制造方法，其中所述封裝材料含有熱固性材料。

12.如權利要求11所述的制造方法，其中所述封裝材料內含有波長轉換物質。

13.如權利要求1所述的制造方法，更包括形成所述透鏡結構后，移除所述承載基板。

14.一種發光裝置，包含：

一發光元件；

至少一透鏡狀封裝材料，覆蓋于所述發光元件上；以及

一第一形狀調整層，環繞所述發光元件周圍以及所述封裝材料與所述發光元件鄰接處，且所述第一形狀調整層的表面能比所述封裝材料的表面能低以促進所述封裝材料形成透鏡狀。

15.如權利要求14所述的發光裝置，更包含一承載基板，用以承載所述第一形狀調整層與所述發光元件。

16.如權利要求14所述的發光裝置，其中所述第一形狀調整層的材料為表面能低于所述封裝材料的第一高分子材料。

17.如權利要求16所述的發光裝置，其中所述第一高分子材料為聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意組合。

18.如權利要求14所述的發光裝置，其中所述第一形狀調整層的材料為含有多個無機納米粒子的第二高分子材料。

19.如權利要求18所述的發光裝置，其中所述無機納米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。

20.如權利要求19所述的發光裝置，其中所述無機納米粒子的粒徑小于100nm。

21.如權利要求15所述的發光裝置，更包含一第二形狀調整層，所述第二形狀調整層介于所述承載基板與所述發光元件之間，或者介于所述發光元件與所述第一形狀調整層間而環繞所述發光元件，且所述第二形狀調整層的表面能比所述第一形狀調整層的表面能高。

22.如權利要求21所述的發光裝置，其中所述第二形狀調整層的材料為含有多個無機微米粒子的第三高分子材料。

23.如權利要求22所述的發光裝置，其中所述無機微米粒子的材料為二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯或上述的任意組合。