[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210261967.6
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN103579110A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 鄧浩;張彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/318
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

a)提供半導體襯底，所述半導體襯底包括NMOS區和PMOS區，在所述NMOS區和所述PMOS區上形成有柵極結構，且在所述柵極結構兩側形成有緊靠所述柵極結構的側壁結構；

b)在所述半導體襯底上依次形成一具有拉應力的應力層和一厚氧化物層，以覆蓋所述NMOS區和所述PMOS區；

c)去除覆蓋在所述PMOS區的氧化物層和具有拉應力的應力層；

d)形成一具有壓應力的應力層，以覆蓋所述PMOS區和所述NMOS區；

e)形成一犧牲層，以覆蓋所述具有壓應力的應力層；

f)回蝕刻所述犧牲層，以露出位于覆蓋在所述NMOS區的氧化物層的頂部的具有壓應力的應力層；

g)去除所述位于覆蓋在所述NMOS區的氧化物層的頂部和側壁上的具有壓應力的應力層；

h)去除所述犧牲層和所述氧化物層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝實施所述步驟b)。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有拉應力的應力層的材料為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述厚氧化物層的厚度為5000-10000埃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c)包括以下步驟：在所述氧化物層上形成一圖案化的光刻膠層，以遮蔽所述NMOS區；采用等離子體各向同性蝕刻工藝去除覆蓋在所述PMOS區的氧化物層和具有拉應力的應力層；采用灰化工藝去除所述光刻膠層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝或者高密度等離子體沉積工藝實施所述步驟d)。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有壓應力的應力層的材料為氮化硅。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為旋涂玻璃。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用等離子體各向同性蝕刻工藝實施所述步驟f)。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻工藝實施所述步驟g)。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻工藝所使用的腐蝕液為熱磷酸。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻工藝實施所述步驟h)。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻工藝所使用的腐蝕液為稀釋的氫氟酸。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括步驟i)，去除在所述具有壓應力的應力層與所述具有拉應力的應力層相接觸的位置的上方殘留的具有壓應力的應力層，以在所述位置形成一自對準界面。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻工藝實施所述步驟i)。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻工藝所使用的腐蝕液為熱磷酸。

17.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件為CMOS。

18.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。