[發(fā)明專利]一種具有界面N+層的SOI LDMOS半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210261200.3
• 申請(qǐng)日: 2012-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN102760753A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡盛東;羅俊;譚開洲;徐學(xué)良;王健安;秦國林;唐昭煥;陳文鎖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種具有界面N⁺層的SOI?LDMOS半導(dǎo)體器件，包括襯底硅層、介質(zhì)埋層和有源頂層硅，所述介質(zhì)埋層設(shè)置于襯底硅層與有源頂層硅之間，其特征在于：所述有源頂層硅包括N型硅層、P型硅層和N⁺硅層，所述N⁺硅層設(shè)置于介質(zhì)埋層上方，所述P型硅層設(shè)置于N⁺硅層上方，所述N型硅層設(shè)置于P型硅層上方。

2.??根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面N⁺層的SOI?LDMOS半導(dǎo)體器件?，其特征在于：還包括在介質(zhì)埋層設(shè)置的半導(dǎo)體窗口，所述半導(dǎo)體窗口設(shè)置于襯底層和有源頂層硅之間。

3.??根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有界面N⁺層的SOI?LDMOS半導(dǎo)體器件?，其特征在于：所述有源頂層硅還設(shè)置有N⁺漏區(qū)、N⁺源區(qū)和P阱，所述N⁺漏區(qū)上方設(shè)置有漏電極，所述P阱上方還設(shè)置有柵氧化層，所述柵氧化層上方設(shè)置有柵電極，所述N⁺源區(qū)設(shè)置于P阱區(qū)域內(nèi)上方，所述N⁺源區(qū)上方設(shè)置有源電極。

4.??根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有界面N⁺層的SOI?LDMOS半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述有源頂層硅中的N型硅層中是采用P-top技術(shù)形成的。

5.??根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有界面N⁺層的SOI?LDMOS半導(dǎo)體器件?，其特征在于：所述有源半導(dǎo)體層為Si、SiC、GaN半導(dǎo)體材料中的一種或多種。

6.??根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有界面N⁺層的SOI?LDMOS半導(dǎo)體器件?，其特征在于：所述介質(zhì)埋層為SiO₂和/或Si₃N₄介質(zhì)。