[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201210260947.7
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN102799038A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。

背景技術

在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。

目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN（Twisted?Nematic，扭曲向列）模式、VA（Vertical?Alignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane-Switching，平面方向轉換）模式和AD-SDS（ADvanced?Super?Dimension?Switch，高級超維場轉換技術，簡稱ADS）模式等。

其中，基于ADS模式的顯示器通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優點。

如圖1所示，以現有的ADS模式的TFT-LCD陣列基板為例，其結構包括：玻璃基板10、依次形成于玻璃基板10之上的柵線層（包括柵極11），柵極絕緣層12，有源層13，數據線層（包括源極14、漏極15），第一鈍化層16，像素電極17（即板狀電極），第二鈍化層18和公共電極19（即狹縫電極），其中，像素電極17穿過第一鈍化層16上的過孔21與漏極15連接。

在現有技術中，形成第一鈍化層上的過孔通常包括如下步驟：在第一鈍化層上涂覆光刻膠；對涂覆光刻膠后的基板進行曝光、顯影，去除過孔位置的光刻膠（過孔位置以外的光刻膠形成刻蝕保護掩模）；對過孔位置進行刻蝕，形成過孔；對基板上殘留的光刻膠進行剝離。

現有技術存在的缺陷在于，由于第一鈍化層的厚度較薄（通常在1~3微米之間），圖中的厚度僅是為了方便作圖，示意性的厚度，在對過孔位置進行刻蝕時，生產工藝較難控制，極易刻蝕掉過孔下方的部分或全部金屬，造成過度刻蝕，最終導致產品缺陷。

發明內容

本發明的目的是提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，用以解決現有技術中存在的過孔刻蝕工藝較難控制，易造成過度刻蝕，導致產品缺陷的技術問題。

本發明陣列基板，包括：包含多條數據線的數據線層，位于所述數據線層之上、包含多個導電阻擋部的導電阻擋層，位于所述導電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導電層，其中，在每一條數據線的上方：

所述鈍化層上設置有過孔；

所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸；

所述透明導電層通過過孔與對應的導電阻擋部連接。

本發明顯示裝置，包括前述技術方案所述的陣列基板。

本發明陣列基板的制造方法，包括：

形成包含多條數據線的數據線層和導電阻擋層，所述導電阻擋層包含位于每一條數據線之上的導電阻擋部；

形成位于導電阻擋層之上的鈍化層，并通過掩模構圖工藝在鈍化層上形成位于導電阻擋部上方的過孔；

形成位于鈍化層之上的透明導電層，所述透明導電層通過所述過孔與對應的導電阻擋部連接。

在本發明陣列基板中，由于所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸，因此，當對鈍化層進行刻蝕形成過孔時，導電阻擋部可有效保護數據線層金屬不被刻蝕掉，大大提高了產品的合格率。

附圖說明

圖1為現有ADS模式的TFT-LCD陣列基板結構示意圖；

圖2為本發明陣列基板第一實施例結構示意圖；

圖3為本發明陣列基板第二實施例結構示意圖；

圖4為本發明陣列基板的制造方法流程示意圖。

附圖標記：

10-玻璃基板?????????????11-柵極

12-柵極絕緣層???????????13-有源層

14-源極?????????????????15-漏極

16-第一鈍化層???????????17-像素電極

18-第二鈍化層???????????19-公共電極

20-透明基板?????????????30-導電阻擋部