[發明專利]溫度控制單元和系統、基板載置臺、處理裝置和處理方法有效
| 申請號: | 201210258971.7 | 申請日: | 2012-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN102903651A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 田中誠治;吉矢秀人;酒井俊充 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度 控制 單元 系統 基板載置臺 處理 裝置 方法 | ||
1.一種溫度控制單元,其與基板接觸,控制該基板的溫度,該溫度控制單元的特征在于,包括:
與所述基板接觸的板狀的主體;
埋設在該主體內的多個直線狀的加熱器;和
形成于所述主體內,在內部流通規定溫度的介質的介質流路,
各所述加熱器彼此平行地配置,所述介質流路以經由相鄰的兩個所述加熱器之間的部分的方式配置。
2.如權利要求1所述的溫度控制單元,其特征在于:
在俯視所述主體時的與一個所述加熱器垂直的方向,各所述加熱器和所述介質流路以等間隔交替配置。
3.如權利要求1或2所述的溫度控制單元,其特征在于:
在所述主體的與所述基板接觸的面的相反一側的面,還具備以與埋設在所述主體內的各加熱器的位置相對應的方式配置的蓋,
所述蓋能夠開閉。
4.如權利要求3所述的溫度控制單元,其特征在于:
所述主體具有用于安裝所述蓋的螺釘用的螺釘孔,所述介質流路在相鄰的兩個所述加熱器之間以避開所述螺釘孔的方式彎曲設置。
5.如權利要求4所述的溫度控制單元,其特征在于:
彎曲設置的所述介質流路中的彎曲部的在俯視所述主體時的曲率半徑為40mm以上。
6.一種基板載置臺,用于載置基板,其特征在于,包括:
與所述基板接觸對該基板的溫度進行控制的溫度控制單元;和
支承該溫度控制單元的基部,
所述溫度控制單元具備:
與所述基板接觸的板狀的主體;
埋設在該主體內的多個直線狀的加熱器;和
形成于所述主體內,在內部流通規定溫度的介質的介質流路,
各所述加熱器彼此平行地配置,所述介質流路以經由相鄰的兩個所述加熱器之間的部分的方式配置。
7.一種基板處理裝置,用于對基板實施處理,其特征在于,包括:
收納所述基板的收納室;和
配置在所述收納室內,用于載置所述基板的基板載置臺,
所述基板載置臺具備:與所述基板接觸對該基板的溫度進行控制的溫度控制單元;和支承該溫度控制單元的基部,
所述溫度控制單元具備:
與所述基板接觸的板狀的主體;
埋設在該主體內的多個直線狀的加熱器;和
形成于所述主體內,在內部流通規定溫度的介質的介質流路,
各所述加熱器彼此平行地配置,所述介質流路以經由相鄰的兩個所述加熱器之間的部分的方式配置。
8.一種溫度控制系統,用于對基板的溫度進行控制,其特征在于,包括:
溫度控制單元,其具備與所述基板接觸的板狀的主體、埋設在該主體內的多個直線狀的加熱器和形成于所述主體內并在內部流通規定溫度的介質的介質流路,該溫度控制單元與所述基板接觸,對該基板的溫度進行控制;
加熱器控制單元,其控制所述加熱器的發熱量;和
介質控制單元,其控制在所述介質流路中流通的介質的流量和/或溫度,
在所述溫度控制單元的所述主體中,各所述加熱器彼此平行地配置,所述介質流路以經由相鄰的兩個所述加熱器之間的部分的方式配置。
9.一種基板控制方法,其使用溫度控制單元,所述溫度控制單元為與基板接觸對該基板的溫度進行控制的溫度控制單元,該溫度控制單元具備與所述基板接觸的板狀的主體、埋設在該主體內的多個直線狀的加熱器和形成于所述主體內并在內部流通規定溫度的介質的介質流路,其中,各所述加熱器彼此平行地配置,所述介質流路以經由相鄰的兩個所述加熱器之間的部分的方式配置,該基板控制方法的特征在于:
在將所述基板向目標冷卻溫度冷卻時,向所述介質流路供給溫度低于所述目標冷卻溫度的介質。
10.如權利要求9所述的基板處理方法,其特征在于:
在所述溫度控制單元的主體的溫度達到比所述目標冷卻溫度只高第一規定溫度的第一控制變更溫度時,將向所述介質流路供給的介質的溫度變更為所述目標冷卻溫度。
11.如權利要求10所述的基板處理方法,其特征在于:
所述第一規定溫度為2℃以上且低于20℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





