[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的基板及發(fā)光二極管的固晶方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210258117.0 | 申請日： | 2012-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN103545416A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 邱冠諭 | 申請（專利權）人： | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發(fā)光二極管 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的基板，其特征在于，包含：
一第一陶瓷板；
一緩沖材料層，位于該第一陶瓷板上；
一導電層，位于該緩沖材料層上，該導電層具有一發(fā)光二極管的固晶區(qū)域；以及
一第二陶瓷板，位于該導電層上，且其具有一開口區(qū)域借以裸露出該導電層的該固晶區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的基板，其特征在于，該固晶區(qū)域與該第二陶瓷板未與該導電層接觸的表面齊平。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的基板，其特征在于，該導電層的材質為金屬材質。
4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的基板，其特征在于，該緩沖材料層為一聚酰亞胺層。
5.一種發(fā)光二極管的固晶方法，其特征在于，包含：
提供一基板，其由下而上依序包含一第一陶瓷板、一緩沖材料層、一導電層以及一第二陶瓷板，該第二陶瓷板具有多個開口區(qū)域借以裸露出該導電層的多個固晶區(qū)域；
放置多個發(fā)光二極管芯片分別于該導電層上的該些固晶區(qū)域，其中每一該發(fā)光二極管芯片的底面具有一共晶層以與每一該固晶區(qū)域接觸；
切割任兩相鄰該發(fā)光二極管芯片之間的該第二陶瓷板與該導電層，以于該緩沖材料層上留下多個切割道；以及
使用一加熱塊同時下壓于該些發(fā)光二極管芯片上，使該些發(fā)光二極管芯片的各該共晶層分別固化于該導電層的該些固晶區(qū)域上。
6.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管的固晶方法，其特征在于，該加熱塊的溫度大于該共晶層的共晶溫度。
7.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管的固晶方法，其特征在于，該共晶層為一雙金屬混合層。
8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光二極管的固晶方法，其特征在于，該共晶層為一金、錫混合層。
9.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管的固晶方法，其特征在于，該導電層的材質為一金屬材質。
10.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管的固晶方法，其特征在于，該緩沖材料層為一聚酰亞胺層。
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