[發明專利]發光二極管的基板及發光二極管的固晶方法

有效

• 申請號: 201210258117.0
• 申請日: 2012-07-24
• 公開（公告）號: CN103545416A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 邱冠諭
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明是有關于一種發光二極管的固晶方法，且特別是有關于一種使用共晶層的發光二極管的固晶方法及其使用的基板。

背景技術

目前將發光二極管芯片固晶于基板上的方法很多，較常見的方式是使用點膠方式將發光二極管芯片的底面上膠后，再粘著于基板上的固晶區域。此種方式即使應用了自動化的生產設備，發光二極管芯片粘著于基板上后，還需要等待膠固化后才能進行下一道步驟，因此固晶步驟的產能提升不易。其他一次固晶大量發光二極管芯片的方法，則有的尚未成熟，有的合格率過低，因此都尚未成為固晶大量發光二極管芯片的主流方式。有鑒于此，發光二極管生產技術急需如何固晶大量發光二極管芯片的優良方法，以提升發光二極管的整體產能。

發明內容

因此，本發明的一目的是在提供一種改良發光二極管的基板及使用該基板的固晶方法。

根據上述本發明的目的，提供一種發光二極管的基板，其包含第一陶瓷板、緩沖材料層、導電層以及第二陶瓷板。緩沖材料層位于第一陶瓷板上。導電層位于緩沖材料層上，且導電層具有一發光二極管的固晶區域。第二陶瓷板位于導電層上，且其具有一開口區域借以裸露出導電層的固晶區域。

依據本發明另一實施例，固晶區域實質上與第二陶瓷板未與導電層接觸的表面齊平。

依據本發明另一實施例，導電層的材質為金屬材質。

依據本發明另一實施例，緩沖材料層為一聚酰亞胺層。

根據上述本發明的目的，提供一種發光二極管的固晶方法，其包含以下步驟。提供一基板，其由下而上依序包含一第一陶瓷板、一緩沖材料層、一導電層以及一第二陶瓷板，第二陶瓷板具有多個開口區域借以裸露出導電層的多個固晶區域。放置多個發光二極管芯片分別于導電層上的該些固晶區域，其中每一發光二極管芯片的底面具有一共晶層以與每一固晶區域接觸。切割任兩相鄰發光二極管芯片之間的第二陶瓷板與導電層，以于緩沖材料層上留下多個切割道。使用一加熱塊同時下壓于該些發光二極管芯片上，使該些發光二極管芯片的各共晶層分別固化于導電層的該些固晶區域上。

依據本發明另一實施例，加熱塊的溫度大于共晶層的共晶溫度。

依據本發明另一實施例，共晶層為一雙金屬混合層。

依據本發明另一實施例，共晶層為一金、錫混合層。

依據本發明另一實施例，導電層的材質為金屬材質。

依據本發明另一實施例，緩沖材料層為一聚酰亞胺層。

由上述可知，應用本發明的具有緩沖能力基板，在使用加熱塊同時施壓于多顆發光二極管芯片時，基板中的緩沖材料層提供受力過大時所需應力或位置的緩沖，而避免下壓應力過大所造成的芯片破損或其他導致共晶制程低合格率的情形，使得大量發光二極管芯片的固晶制程的合格率能提升許多。

附圖說明

為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下：

圖1是繪示依照本發明一實施例的一種發光二極管固晶于基板上的剖面圖；

圖2是繪示依照本發明另一實施例的一種發光二極管固晶于基板上的剖面圖；

圖3是繪示依照本發明又一實施例的一種發光二極管固晶于基板上的剖面圖；

圖4A～4D是繪示依照本發明一實施例的一種發光二極管固晶方法的各步驟剖面示意圖。

【主要元件符號說明】

100基板

102第一陶瓷板

104緩沖材料層

106導電層

106a固晶區域

106b區域

106c區域

108第二陶瓷板

108a開口區域

108b表面

110發光二極管芯片

110a共晶層

110’發光二極管芯片

110”發光二極管芯片

200基板

202第二陶瓷板

204緩沖材料層

206導電層

206a固晶區域

208第二陶瓷板

208a開口區域

210發光二極管芯片

210a共晶層

212切割道

220加熱塊

具體實施方式