[發明專利]半導體發光裝置和發光設備

無效

• 申請號: 201210256528.6
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN102891160A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 梁鐘隣;金泰亨;申永澈;李泰泫;宋尚燁;金臺勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

本申請要求在韓國知識產權局于2011年7月22日提交的第10-2011-0072814號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開通過引用包含于此。

技術領域

本發明涉及一種半導體發光裝置和一種發光設備。

背景技術

發光二極管(LED)是一種半導體裝置，能夠在向其施加電流時由于在p型半導體層和n型半導體層之間的p-n結處發生電子-空穴復合而發射各種顏色的光。這種LED相比于基于燈絲的發光裝置的優點在于，這種LED具有長壽命、低功耗、優異的初始操作特性等。這些因素已經持續地促進了對LED的需求。近來值得注意的是，大量的注意力已經被吸引到能夠發射藍色/短波長區域的光的第III族氮化物半導體。

由于對氮化物半導體裝置的開發，已經對擴大其應用范圍做出了技術上的改進。因此，對于確定如何在普通的照明設備和電器照明源方面利用氮化物半導體裝置正開展大量的研究。根據現有技術，氮化物發光裝置已經用作在低電流低輸出移動產品中采用的組件。然而，近來，氮化物發光裝置的應用范圍已經擴大到涵蓋高電流高輸出產品的領域。

同時，在利用LED制造發光設備的情況下，齊納(Zener)二極管用來保護LED免受靜電放電(ESD)電壓的影響。通常，這種齊納二極管與LED一起安裝在封裝件中。然而，額外需要在封裝件中安裝齊納二極管的工藝。此外，齊納二極管自身和用來向齊納二極管施加電信號的額外布線可能會導致發光效率的降低。在該技術領域，正在試圖將LED與齊納二極管進行集成。

發明內容

本發明的一方面提供了一種集成有齊納二極管的半導體發光裝置，從而提高了封裝工藝的便利性和可靠性。

本發明的一方面還提供了一種這樣的半導體發光裝置，該半導體發光裝置提高了與其集成的齊納二極管的操作可靠性并且在安裝在發光設備中時提高了散熱性。

本發明的一方面還提供了一種包括上述半導體發光裝置的發光設備。

根據本發明的一方面，提供了一種半導體發光裝置，所述半導體發光裝置包括：發光二極管(LED)部，設置在透光基底的一個區域上，并且包括第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層；齊納二極管部，設置在透光基底的另一區域上，并且包括第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層；第一連接電極，將LED部的第一導電類型半導體層連接到齊納二極管部的第二導電類型半導體層；第二連接電極，將LED部的第二導電類型半導體層連接到齊納二極管部的第一導電類型半導體層；絕緣部，覆蓋第一連接電極和第二連接電極，并且具有使第一連接電極和第二連接電極的至少一部分被暴露的開口區域；第一焊盤電極和第二焊盤電極，分別形成在通過開口區域暴露的第一連接電極和第二連接電極上，并且分別連接到第一連接電極和第二連接電極。

絕緣部可以使LED部的上部區域不被暴露到外部。

絕緣部可以使齊納二極管部的上部區域不被暴露到外部。

第一焊盤電極和第二焊盤電極可以不被設置在齊納二極管部的區域中。

第一焊盤電極和第二焊盤電極可以占據半導體發光裝置的上表面面積的80％至95％。

LED部還可以包括設置在第一導電類型半導體層的一個表面上的至少一個第一電極，第一連接電極可以連接到所述至少一個第一電極。

所述至少一個第一電極可以穿透發光二極管部的活性層和第二導電類型半導體層，所述至少一個第一電極可以被絕緣部包圍并且與活性層和第二導電類型半導體層電分離。

LED部還可以包括設置在第二導電類型半導體層的一個表面上的第二電極，第二連接電極可以連接到第二電極。

第二電極可以由反光材料形成。

第二電極可以設置成包圍所述至少一個第一電極。

第一電極和第二電極可以具有設置在同一水平面上的上表面。

第一電極和第二電極可以沿相同的方向設置。

第一焊盤電極和第二焊盤電極可以由共晶材料形成。