[發明專利]半導體發光裝置和發光設備

無效

• 申請號: 201210256528.6
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN102891160A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 梁鐘隣;金泰亨;申永澈;李泰泫;宋尚燁;金臺勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種半導體發光裝置，所述半導體發光裝置包括：

發光二極管部，設置在透光基底的一個區域上，并且包括第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層；

齊納二極管部，設置在透光基底的另一區域上，并且包括第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層；

第一連接電極，將發光二極管部的第一導電類型半導體層連接到齊納二極管部的第二導電類型半導體層；

第二連接電極，將發光二極管部的第二導電類型半導體層連接到齊納二極管部的第一導電類型半導體層；

絕緣部，覆蓋第一連接電極和第二連接電極，并且具有使第一連接電極和第二連接電極的至少一部分被暴露的開口區域；以及

第一焊盤電極和第二焊盤電極，第一焊盤電極形成在通過開口區域暴露的第一連接電極上并且連接到第一連接電極，第二焊盤電極形成在通過開口區域暴露的第二連接電極上并且連接到第二連接電極。

2.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，絕緣部使發光二極管部的上部區域不被暴露到外部。

3.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，絕緣部使齊納二極管部的上部區域不被暴露到外部。

4.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一焊盤電極和第二焊盤電極不被設置在齊納二極管部的區域中。

5.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一焊盤電極和第二焊盤電極占據半導體發光裝置的上表面面積的80％至95％。

6.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，發光二極管部還包括設置在第一導電類型半導體層的一個表面上的至少一個第一電極，

第一連接電極連接到所述至少一個第一電極。

7.如權利要求6所述的半導體發光裝置，其中，所述至少一個第一電極穿透發光二極管部的活性層和第二導電類型半導體層，

所述至少一個第一電極被絕緣部包圍并且與活性層和第二導電類型半導體層電分離。

8.如權利要求1或7所述的半導體發光裝置，其中，發光二極管部還包括設置在第二導電類型半導體層的一個表面上的第二電極，

第二連接電極連接到第二電極。

9.如權利要求8所述的半導體發光裝置，其中，第二電極由反光材料形成。

10.如權利要求8所述的半導體發光裝置，其中，第二電極設置成包圍所述至少一個第一電極。

11.如權利要求8所述的半導體發光裝置，其中，第一電極和第二電極具有設置在同一水平面上的上表面。

12.如權利要求8所述的半導體發光裝置，其中，第一電極和第二電極沿相同的方向設置。

13.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，第一焊盤電極和第二焊盤電極由共晶材料形成。

14.一種發光設備，所述發光設備包括：

安裝基底；以及

半導體發光裝置，安裝在安裝基底上，并且當向半導體發光裝置施加電信號時，半導體發光裝置發光，

其中，半導體發光裝置包括：

發光二極管部，設置在透光基底的一個區域上，并且包括第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層；

齊納二極管部，設置在透光基底的另一區域上，并且包括第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層；

第一連接電極，將發光二極管部的第一導電類型半導體層連接到齊納二極管部的第二導電類型半導體層；

第二連接電極，將發光二極管部的第二導電類型半導體層連接到齊納二極管部的第一導電類型半導體層；

絕緣部，覆蓋第一連接電極和第二連接電極，并且具有使第一連接電極和第二連接電極的至少一部分被暴露的開口區域；以及

第一焊盤電極和第二焊盤電極，第一焊盤電極形成在通過開口區域暴露的第一連接電極上并且連接到第一連接電極，第二焊盤電極形成在通過開口區域暴露的第二連接電極上并且連接到第二連接電極。

15.如權利要求14所述的發光設備，其中，安裝基底為電路板。

16.如權利要求14所述的發光設備，其中，安裝基底為引線框架。

17.如權利要求14所述的發光設備，其中，當半導體發光裝置安裝在安裝基底上時，第一焊盤電極和第二焊盤電極朝向安裝基底設置。