[發(fā)明專利]一種基于FPGA的抗多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)RS碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210256103.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102751995A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王巍;王寧;張美杰;徐飛;李瑩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津工大瑞工光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03M13/15 | 分類號(hào): | H03M13/15 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 300384 天津市西青區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 fpga 抗多位 錯(cuò)誤 翻轉(zhuǎn) rs 檢錯(cuò) 糾錯(cuò) 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng),特別涉及一種可以糾正基于SRAM的存儲(chǔ)器多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)的基于FPGA的抗多位翻轉(zhuǎn)RS碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
基于SRAM的存儲(chǔ)器器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各類航天器件以及衛(wèi)星上,但是由于太空中的高能粒子撞擊以及電磁輻射等惡劣的環(huán)境,將導(dǎo)致基于SRAM的存儲(chǔ)器件邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn):原來(lái)存儲(chǔ)位的″0″變?yōu)椤?″,或者″1″變?yōu)椤?″,造成系統(tǒng)功能紊亂。而隨著工藝尺寸進(jìn)入納米時(shí)代,芯片上晶體管的密度越來(lái)越高,密度的增高使得存儲(chǔ)單元之間的距離逐漸減小,距離的減小意味著以上這種錯(cuò)誤可能造成多個(gè)單元的狀態(tài)發(fā)生錯(cuò)誤的翻轉(zhuǎn),這就是多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)(Multiple?Bits?Up?sets,MBUs)。美國(guó)NASA宇航局的JPL實(shí)驗(yàn)室通過(guò)一系列的試驗(yàn)發(fā)現(xiàn):在Virtex-4(90nm)系列的FPGA中MBUs的發(fā)生概率幾乎是Virtex-II(130nm)系列的3倍,是Virtex(220nm)系列的69倍,這證明了隨著工藝尺寸的降低,F(xiàn)PGA中MBUs的發(fā)生概率會(huì)越來(lái)越高,而FPGA中包含大量的SRAM存儲(chǔ)單元,它們對(duì)于尺寸的變化所導(dǎo)致的MBUs更為敏感。很多的輻射實(shí)驗(yàn)也表明存儲(chǔ)器中MBUs與工藝密切相關(guān),在90nm時(shí),存儲(chǔ)器中2位MBUs的發(fā)生概率約為60%,當(dāng)工藝為65nm時(shí),3位和4位MBUs的概率達(dá)到了45%,而且隨著工藝進(jìn)入亞微米量級(jí)(小于90mm)時(shí),MBUs引起的錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)位數(shù)已經(jīng)達(dá)到13位。
為了對(duì)抗存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn),有人發(fā)明了一種可用于大容量存儲(chǔ)器的RS(256,252)碼糾錯(cuò)譯碼芯片(公開(kāi)號(hào):CN?1773863A)。該糾錯(cuò)譯碼芯片的乘法和求逆運(yùn)算運(yùn)用查表和模加運(yùn)算實(shí)現(xiàn),由于是在GF(28)域,查表法需要大量的資源,以大量的面積獲取速度,有些得不償失;其次,沒(méi)有考慮到當(dāng)信息位無(wú)錯(cuò)碼時(shí),可以停止chien搜索,終止糾錯(cuò),因?yàn)闆](méi)必要糾錯(cuò);再次,沒(méi)有考慮到當(dāng)錯(cuò)碼個(gè)數(shù)大于糾錯(cuò)能力時(shí),可以放棄糾錯(cuò),因?yàn)闀?huì)越糾越錯(cuò);最后,沒(méi)有系統(tǒng)的RS編碼,RS碼只有在數(shù)據(jù)編碼之后才可以譯碼糾錯(cuò),這個(gè)發(fā)明的芯片并不能做到即插即用。還有人發(fā)明了相似的一種基于FPGA的高速RS編譯碼器實(shí)現(xiàn)方法(CN?102122964A),采用三級(jí)流水線實(shí)現(xiàn)譯碼,使用雙時(shí)鐘驅(qū)動(dòng),以及大量的常系數(shù)乘法器,這些方法雖然能在一定程度上提高速度,但是對(duì)于最重要的最耗資源的關(guān)鍵方程求解部分卻未有改善,雖然將常數(shù)乘法器轉(zhuǎn)換為純組合邏輯的異或運(yùn)算,但是多級(jí)的純組合邏輯只會(huì)拖慢系統(tǒng)速度,大大影響系統(tǒng)的速度和性能,這并不適合實(shí)際的工程應(yīng)用。
因而,設(shè)計(jì)一個(gè)能夠從數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器之初就開(kāi)始進(jìn)行編碼防護(hù),直到從存儲(chǔ)器讀出數(shù)據(jù)時(shí),再進(jìn)行譯碼保護(hù)的、即插即用的、耗費(fèi)資源少、效率較高的、可以用來(lái)加固容易發(fā)生多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)器的檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng)顯得尤為必要,本發(fā)明基于FPGA的抗多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)RS碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng)就應(yīng)運(yùn)而生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種對(duì)存儲(chǔ)器的多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)進(jìn)行檢錯(cuò)糾錯(cuò)的RS碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng),使得寫入存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)首先通過(guò)RS碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng)編碼后存入存儲(chǔ)器,當(dāng)存儲(chǔ)器遭受多位錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)時(shí),RS碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)系統(tǒng)能夠通過(guò)譯碼將錯(cuò)誤檢測(cè)出來(lái)并糾正。
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H03M 一般編碼、譯碼或代碼轉(zhuǎn)換
H03M13-00 用于檢錯(cuò)或糾錯(cuò)的編碼、譯碼或代碼轉(zhuǎn)換;編碼理論基本假設(shè);編碼約束;誤差概率估計(jì)方法;信道模型;代碼的模擬或測(cè)試
H03M13-01 .編碼理論基本假設(shè);編碼約束;誤差概率估算方法;信道模型;代碼的模擬或測(cè)試
H03M13-03 .用數(shù)據(jù)表示中的冗余項(xiàng)檢錯(cuò)或前向糾錯(cuò),即碼字包含比源字更多的位數(shù)
H03M13-25 .由信號(hào)空間編碼進(jìn)行的檢錯(cuò)或前向糾錯(cuò),即在信號(hào)叢中增加冗余項(xiàng),例如梳狀編碼調(diào)制
H03M13-27 .應(yīng)用交錯(cuò)技術(shù)的
H03M13-29 .合并兩個(gè)或多個(gè)代碼或代碼結(jié)構(gòu),例如乘積碼、廣義乘積碼、鏈接碼、內(nèi)層碼和外層碼
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