[發明專利]功率MOSFET、IGBT和功率二極管有效
| 申請號： | 201210254863.2 | 申請日： | 2012-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN102956707B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 玉城朋宏 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 廣州三環專利代理有限公司44202 | 代理人： | 溫旭,郝傳鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 mosfet igbt 二極管 | ||
1.一種功率MOSFET，該功率MOSFET包括：
(a)源極，所述源極在半導體基底的第一主表面上形成，所述半導體基底具有所述第一主表面以及第二主表面，并且呈現矩形的形狀；
(b)第一導電型漂移區，所述第一導電型漂移區設置在所述半導體基底的所述第一主表面側的整個表面上的半導體表面區中；
(c)有源單元區、沿所述有源單元區的每一邊且在其外部設置的多個外圍邊區以及在所述有源單元區的每一角部分的外部設置的多個外圍角區，其中所述有源單元區設置在所述第一主表面上中央部分處，在取向上與所述半導體基底相同，并且具有矩形的形狀；以及
(d)環形場板，所述環形場板以圍繞所述有源單元區的方式設置在所述第一主表面上，
其中，在所述外圍邊區的至少任何一個中，所述場板在所述半導體表面區與該場板之間具有歐姆接觸部分，并且在所述外圍角區的每一個中，所述場板在所述半導體表面區與該場板之間不具有歐姆接觸部分。
2.根據權利要求1所述的功率MOSFET，其中，所述半導體基底為硅型半導體基底。
3.根據權利要求2所述的功率MOSFET，該功率MOSFET還包括：
(e)超結結構，所述超結結構設置在所述半導體基底的整個表面中以及所述漂移區中。
4.根據權利要求3所述的功率MOSFET，其中，所述場板包括鋁型布線層。
5.根據權利要求4所述的功率MOSFET，其中，所述外圍邊區中的超結結構具有二維降低表面電場結構。
6.根據權利要求4所述的功率MOSFET，其中，所述外圍邊區中的超結結構具有三維降低表面電場結構。
7.一種IGBT，該IGBT包括：
(a)發射極和柵極，所述發射極和柵極在半導體基底的第一主表面上形成，所述半導體基底具有所述第一主表面以及第二主表面，并且呈現矩形的形狀；
(b)第一導電型漂移區，所述第一導電型漂移區設置在所述半導體基底的第一主表面側的整個表面上的半導體表面區中；
(c)有源單元區、沿所述有源單元區的每一邊且在其外部設置的多個外圍邊區以及在所述有源單元區的每一角部分的外部設置的多個外圍角區，其中所述有源單元區設置在所述第一主表面上中央部分處，在取向上與所述半導體基底相同，并且具有矩形的形狀；以及
(d)環形場板，所述環形場板以圍繞所述有源單元區的方式設置在所述第一主表面上，
其中，在所述外圍邊區的至少任何一個中，所述場板在所述半導體表面區與該場板之間具有歐姆接觸部分，并且在所述外圍角區的每一個中，所述場板在所述半導體表面區與該場板之間不具有歐姆接觸部分。
8.根據權利要求7所述的IGBT，其中，所述半導體基底為硅型半導體基底。
9.根據權利要求8所述的IGBT，該IGBT還包括：
(e)超結結構，所述超結結構設置在所述半導體基底的整個表面中以及所述漂移區中。
10.根據權利要求9所述的IGBT，其中，所述場板包括鋁型布線層。
11.根據權利要求10所述的IGBT，其中，所述外圍邊區中的超結結構具有二維降低表面電場結構。
12.根據權利要求10所述的IGBT，其中，所述外圍邊區中的超結結構具有三維降低表面電場結構。
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