[發(fā)明專利]具有多個磁層和間隔層的圖案化垂直磁記錄介質(zhì)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210252631.3
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102890941A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 埃內(nèi)斯托·馬里內(nèi)羅;迪特爾·韋勒;布賴恩·約克
• 申請（專利權(quán)）人: 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 張煥生;謝麗娜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及圖案化垂直磁記錄介質(zhì)，諸如用于在磁記錄硬盤驅(qū)動器中使用的盤，并且更具體地涉及具有提高磁記錄性能的均勻數(shù)據(jù)島的圖案化盤。

背景技術(shù)

具有圖案化磁記錄介質(zhì)的磁記錄硬盤驅(qū)動器已經(jīng)被提出以增加數(shù)據(jù)密度。在傳統(tǒng)的連續(xù)磁記錄介質(zhì)中，磁記錄層是在盤的整個表面上的連續(xù)層。在圖案化介質(zhì)——也稱作位元圖案化介質(zhì)（bit-patterned?media：BPM）中，盤上的磁記錄層被圖案化成以同心數(shù)據(jù)軌道布置的小的隔離的數(shù)據(jù)島。雖然BPM盤可以是其中磁化方向平行于記錄層或在記錄層的平面中的縱向磁記錄盤，但是由于垂直介質(zhì)的增加的數(shù)據(jù)密度的可能性，其中磁化方向垂直于記錄層或在記錄層的平面外的垂直磁記錄盤是很可能用于BPM的選擇。為了產(chǎn)生圖案化數(shù)據(jù)島的磁隔離，把島之間的間隔的磁矩破壞或大幅度減小以使得這些間隔基本上是非磁性的。替代地，可以把介質(zhì)制作成使得在島之間的間隔中沒有磁材料。

已經(jīng)提出納米壓印光刻（nanoimprint?lithography：NIL）以在BPM盤上形成島的期望圖案。NIL基于通過具有期望的納米級圖案的主模板或模具使壓印抗蝕劑層變型。主模板由諸如電子束工具的高分辨率光刻工具制成。要被圖案化的基底可以是具有磁記錄層以及作為連續(xù)層形成在該磁記錄層上的任何所需的襯層的盤坯。然后，利用壓印抗蝕劑旋涂基底，該壓印抗蝕劑諸如熱塑性聚合物、如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。然后，將聚合物加熱到其玻璃轉(zhuǎn)化溫度以上。在該溫度下，熱塑性抗蝕劑變得有粘性，并且納米級圖案通過在相對高的壓力下從模板壓印而重新形成在壓印抗蝕劑上。一旦聚合物冷卻，將模板從壓印抗蝕劑移除，在壓印抗蝕劑上留下凹槽和間隔的顛倒的納米級圖案。作為熱塑性聚合物的熱固化的替代，可以將諸如從Molecular?Imprints公司可獲得的MonoMat的通過紫外（UV）光可固化的聚合物用作壓印抗蝕劑。然后，使用圖案化的壓印抗蝕劑層作為蝕刻掩模以在下面的磁記錄層形成島的期望圖案。

在BPM中，重要的是在數(shù)據(jù)島之間的大小和磁性上存在均勻性。翻轉(zhuǎn)場分布（switching?field?distribution：SFD）——即矯頑場的島到島的變化必須足夠窄以在不重寫相鄰的島的情況下確保各個島的精確可尋址能力。理想地，SFD寬度將是零，意味著所有的位元將在同一寫入場強度下翻轉(zhuǎn)。島的大小、形狀和間距上的變化，以及磁性材料的組成和晶向上的變化增加SFD。

改進各個數(shù)據(jù)島的可寫性也是重要的。可以期望島中的記錄層將由至少兩個具有不同各向異性的鐵磁交換耦合磁層形成以提供跨越記錄層的厚度的梯度各向異性。該類型的梯度各向異性的記錄層彌補跨越記錄的厚度的寫入場中的變化和寫入場梯度中的非均勻性。

島之間的大小和磁性上的均勻性以及各個島的可寫性可能受到蝕刻過程的不利影響。因此，在蝕刻過程期間能夠保護島中的各個磁層也是重要的。

所需要的是具有提高的可寫性的均勻數(shù)據(jù)島的圖案化垂直磁記錄。

發(fā)明內(nèi)容