[發(fā)明專利]具有多個(gè)磁層和間隔層的圖案化垂直磁記錄介質(zhì)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210252631.3 | 申請日： | 2012-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN102890941A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 埃內(nèi)斯托·馬里內(nèi)羅;迪特爾·韋勒;布賴恩·約克 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/66 | 分類號： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 張煥生;謝麗娜 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 多個(gè)磁層 間隔 圖案 垂直 記錄 介質(zhì) | ||
1.一種圖案化垂直磁記錄介質(zhì)，包括：
基底；
在所述基底上的非磁性襯層；
具有垂直磁各向異性的第一鐵磁層（MAG1），所述第一鐵磁層是包括鈷、鉑和鉻的無氧合金；
在所述第一鐵磁層上的第一非磁性間隔層（IL1）；
在IL1上的第二非磁性間隔層（IL2）；以及
在IL2上的第二鐵磁層（MAG2）；并且
其中MAG1、IL1、IL2和MAG2被圖案化成多個(gè)離散島。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中MAG2是具有垂直磁各向異性并且包括Co、Pt和Cr的無氧合金；并且其中MAG2和MAG1跨IL1和IL2交換耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)，其中較之MAG1，MAG2具有更多的Pt和更少的Cr。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中MAG2是由選自Co、Fe、CoPtCr合金、CoPtCrB、NiFe和CoFe合金的材料形成并且具有大于600emu/cm3的飽和磁化強(qiáng)度和小于2000Oe的矯頑性的寫入輔助層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中MAG2和MAG1是交換彈性結(jié)構(gòu)，其中IL具有在約0.1至3nm之間的厚度，并且其中IL2是由選自Ru、RuCo（Co大于或等于30原子%且小于或等于60原子%）和Ru-Ta2O5（Ta氧化物大于或等于1原子%且小于或等于25原子%）的材料形成的交換彈性耦合層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中IL1包括選自Ru和Ru基合金的材料并且具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度，IL2包括從由Ta、Nb、Ti、Si、Mn和Hf組成的組選擇的元素的一種或多種氧化物并且具有大于或等于0.2nm且小于或等于1.0nm的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)，其中IL2基本上由Ta的氧化物組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)，其中IL2是在IL1上的不連續(xù)氧化物膜簇，其中MAG2與IL1以及與IL2的氧化物簇相接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)，其中IL1是在MAG1上的IL1材料的共形膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)，其中IL1是在MAG1上的IL1材料的不連續(xù)膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中MAG2是選自FePt合金、CoPt合金、FePt-X合金和CoPt-X合金的化學(xué)有序合金，其中所述元素X選自由Ni、Au、Cu、Pd和Ag組成的組并且以小于或等于20原子百分比的量存在。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的介質(zhì)，其中MAG2具有大于或等于30kOe的翻轉(zhuǎn)場。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的介質(zhì)，其中IL1選自MgO和RuAl（Al大于或等于30原子%且小于或等于70原子%）。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的介質(zhì)，其中IL2選自Ta2O5、Ru、RuCo（Co大于或等于30原子%且小于或等于70原子%）和Ru-Ta2O5（Ta氧化物大于或等于1原子%且小于或等于25原子%）。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，進(jìn)一步包括在MAG2上的勢壘層（BL）和在BL上的保護(hù)性外涂層（OC）。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的介質(zhì)，其中所述BL具有大于或等于0.5nm且小于或等于5nm的厚度并且選自Ru、W、Mo；Hf、W或Mo的氧化物以及氮化硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，進(jìn)一步包括在所述非磁性襯層和MAG1之間的納米氧化物膜（N-OX），所述N-OX包括選自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物并且具有大于或等于0.1nm和小于或等于1.5nm的厚度。
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