[發明專利]具有多個磁層和間隔層的圖案化垂直磁記錄介質

無效

• 申請號: 201210252631.3
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102890941A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 埃內斯托·馬里內羅;迪特爾·韋勒;布賴恩·約克
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張煥生;謝麗娜

1.一種圖案化垂直磁記錄介質，包括：

基底；

在所述基底上的非磁性襯層；

具有垂直磁各向異性的第一鐵磁層（MAG1），所述第一鐵磁層是包括鈷、鉑和鉻的無氧合金；

在所述第一鐵磁層上的第一非磁性間隔層（IL1）；

在IL1上的第二非磁性間隔層（IL2）；以及

在IL2上的第二鐵磁層（MAG2）；并且

其中MAG1、IL1、IL2和MAG2被圖案化成多個離散島。

2.根據權利要求1所述的介質，其中MAG2是具有垂直磁各向異性并且包括Co、Pt和Cr的無氧合金；并且其中MAG2和MAG1跨IL1和IL2交換耦合。

3.根據權利要求2所述的介質，其中較之MAG1，MAG2具有更多的Pt和更少的Cr。

4.根據權利要求1所述的介質，其中MAG2是由選自Co、Fe、CoPtCr合金、CoPtCrB、NiFe和CoFe合金的材料形成并且具有大于600emu/cm³的飽和磁化強度和小于2000Oe的矯頑性的寫入輔助層。

5.根據權利要求1所述的介質，其中MAG2和MAG1是交換彈性結構，其中IL具有在約0.1至3nm之間的厚度，并且其中IL2是由選自Ru、RuCo（Co大于或等于30原子%且小于或等于60原子%）和Ru-Ta₂O₅（Ta氧化物大于或等于1原子%且小于或等于25原子%）的材料形成的交換彈性耦合層。

6.根據權利要求1所述的介質，其中IL1包括選自Ru和Ru基合金的材料并且具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度，IL2包括從由Ta、Nb、Ti、Si、Mn和Hf組成的組選擇的元素的一種或多種氧化物并且具有大于或等于0.2nm且小于或等于1.0nm的厚度。

7.根據權利要求6所述的介質，其中IL2基本上由Ta的氧化物組成。

8.根據權利要求6所述的介質，其中IL2是在IL1上的不連續氧化物膜簇，其中MAG2與IL1以及與IL2的氧化物簇相接觸。

9.根據權利要求6所述的介質，其中IL1是在MAG1上的IL1材料的共形膜。

10.根據權利要求6所述的介質，其中IL1是在MAG1上的IL1材料的不連續膜。

11.根據權利要求1所述的介質，其中MAG2是選自FePt合金、CoPt合金、FePt-X合金和CoPt-X合金的化學有序合金，其中所述元素X選自由Ni、Au、Cu、Pd和Ag組成的組并且以小于或等于20原子百分比的量存在。

12.根據權利要求11所述的介質，其中MAG2具有大于或等于30kOe的翻轉場。

13.根據權利要求11所述的介質，其中IL1選自MgO和RuAl（Al大于或等于30原子%且小于或等于70原子%）。

14.根據權利要求13所述的介質，其中IL2選自Ta₂O₅、Ru、RuCo（Co大于或等于30原子%且小于或等于70原子%）和Ru-Ta₂O₅（Ta氧化物大于或等于1原子%且小于或等于25原子%）。

15.根據權利要求1所述的介質，進一步包括在MAG2上的勢壘層（BL）和在BL上的保護性外涂層（OC）。

16.根據權利要求15所述的介質，其中所述BL具有大于或等于0.5nm且小于或等于5nm的厚度并且選自Ru、W、Mo；Hf、W或Mo的氧化物以及氮化硅。

17.根據權利要求1所述的介質，進一步包括在所述非磁性襯層和MAG1之間的納米氧化物膜（N-OX），所述N-OX包括選自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物并且具有大于或等于0.1nm和小于或等于1.5nm的厚度。