[發明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201210252453.4
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102891095A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 進藤正典
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;李浩

技術領域

本發明涉及具備形成遮光部的工序的半導體裝置的制造方法以及能夠進一步提高利用該制造方法形成的半導體裝置的成品率的半導體制造裝置，其中該遮光部在對形成在晶片上的負性抗蝕劑特別是位于晶片的外緣上的負性抗蝕劑利用曝光顯影處理來形成預定的圖案的情況下，進一步防止對在晶片的外緣上形成的負性抗蝕劑供給曝光光線。

背景技術

例如，在專利文獻1中公開了在晶片上形成電鍍用電極的方法。在圖9中概略地示出專利文獻1所公開的電鍍用電極形成方法。首先，在晶片100的整個面依次形成導電層110和負性抗蝕劑120，在晶片的外緣上的負性抗蝕劑120上形成遮光部130。接著，經由形成有預定的圖案的中間掩模圖案（reticle?pattern）對負性抗蝕劑120進行曝光。最后，在除去了遮光部130后進行顯影處理。由此，在負性抗蝕劑120上形成所希望的圖案，并且，使位于在晶片100的外緣的負性抗蝕劑120上形成有遮光部130的區域的下方的導電層110露出，由此，形成所希望的電鍍用電極。

專利文獻1：日本特開2005-5462號公報。

在專利文獻1公開的發明中，如上述那樣利用油墨印刷在位于晶片100的外緣上的負性抗蝕劑120上形成有遮光部130。但是，在該結構中，在對負性抗蝕劑120進行曝光時，曝光光線有時從晶片100的側面方向繞入到遮光部130之下的負性抗蝕劑120。因此，在照射了曝光光線的部位對顯影液為不溶性或難溶性的負性抗蝕劑的特性上，存在難以在對負性抗蝕劑120進行顯影時按照想要的圖案使導電層110露出，難以形成所希望的電鍍用電極的問題。另外，并不限于形成電鍍用電極的情況，在具備形成遮光部的工序的半導體裝置的制造方法中，曝光光線從該晶片的側面繞入成為嚴重的問題，其中，上述遮光部在對位于晶片的外緣上的負性抗蝕劑利用曝光顯影處理來形成預定的圖案的情況下，防止對位于晶片的外緣上的負性抗蝕劑供給曝光光線。

發明內容

因此，本發明解決上述問題，提供一種具備遮光部的形成工序而能夠實現成品率的提高的半導體裝置的制造方法以及能夠進一步提高利用該制造方法形成的半導體裝置的成品率的半導體制造裝置，其中該遮光部在對形成在晶片的外緣上的負性抗蝕劑利用曝光顯影處理來形成預定的圖案的情況下，進一步防止曝光光線從晶片側面繞入到位于晶片的外緣上的負性抗蝕劑。

本發明提供一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：準備在晶片的表面上依次形成有導電層以及負性抗蝕劑的第一晶片；在所述第一晶片的外緣的至少一部分橫跨所述負性抗蝕劑的表面上和側面地涂敷遮光材料；對所述負性抗蝕劑進行曝光；除去所述遮光材料；對所述負性抗蝕劑進行顯影。

本發明的半導體制造裝置具有晶片載置臺，該晶片載置臺具備載置晶片的載置面，該半導體制造裝置的特征在于，通過所述載置面的表面的重心并且連結所述載置面的兩端部的直線中最長的第一直線比在所述載置面上載置的晶片的直徑的長度短。

根據本發明的半導體裝置的制造方法，由于橫跨負性抗蝕劑的表面上和側面地涂敷遮光材料，所以，在對第一晶片的外緣的負性抗蝕劑利用曝光顯影處理來形成預定的圖案的情況下，能夠進一步防止曝光光線從晶片的側面繞入到位于第一晶片的外緣的負性抗蝕劑。因此，在半導體裝置的制造中能夠謀求進一步提高成品率。

另外，根據本發明的半導體制造裝置，由于采用通過載置面的表面的重心并且連結該載置面的兩端部的直線中最長的第一直線比在該載置面上載置的晶片的直徑的長度短的結構，所以，即使在進行以晶片的外緣相對于該載置面突出的方式在該載置面配置晶片并橫跨上述的負性抗蝕劑的表面上和側面地涂敷遮光材料的工序的情況下，所涂敷的遮光材料也會沿著晶片的側面向地面方向滴落，因此能夠減少繞入到晶片背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料繞入到晶片的背面的狀態下將晶片配置在曝光裝置的載置面的情況下假定的、曝光光線相對于負性抗蝕劑的焦點發生偏移的問題的可能性減少。因而，能夠進一步提高利用本發明的半導體裝置的制造方法形成的半導體裝置的成品率。

附圖說明

圖1是概略地表示本發明的第一實施方式的半導體制造裝置的立體圖。

圖2是概略地表示從遮光材料供給部30對晶片5涂敷遮光材料的狀態的圖。

圖3是從晶片5的表面側觀察涂敷遮光材料32后的晶片5的俯視圖。

圖4是概略地表示使用中間掩模圖案40對負性抗蝕劑3進行曝光的工序的俯視圖。

圖5是概略地表示本發明的第二實施方式的半導體制造裝置的立體圖。