[發明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201210252453.4
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102891095A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 進藤正典
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;李浩

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

準備在晶片的表面上依次形成有導電層以及負性抗蝕劑的第一晶片；

橫跨所述第一晶片的外緣的至少一部分的所述負性抗蝕劑的表面上和側面地涂敷遮光材料；

對所述負性抗蝕劑進行曝光；

除去所述遮光材料；

對所述負性抗蝕劑進行顯影。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料具備吸收曝光光線的帶隙。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料具備對365nm～436nm的波長區域吸收光的帶隙。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

對所述負性抗蝕劑的曝光通過以下方式進行：經由形成有預定的圖案的矩形的中間掩模圖案多次向所述負性抗蝕劑投影所述預定的圖案。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

利用所述負性抗蝕劑的顯影將所述負性抗蝕劑除去，按照利用所述中間掩模圖案投影到所述負性抗蝕劑的所述預定的圖案使導電層露出，并且，按照所述遮光材料使所述導電層露出，之后，將按照所述遮光材料露出的所述導電層作為電鍍用電極，在按照利用所述中間掩模圖案投影到所述負性抗蝕劑的所述預定的圖案使導電層露出的部位，利用電鍍法形成電極。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第一晶片的所述負性抗蝕劑上形成有能夠使曝光光線透過的保護膜，

所述制造方法具有在對所述負性抗蝕劑曝光后且在所述負性抗蝕劑的顯影前除去所述保護膜的工序。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料的涂敷以橫跨所述第一晶片的外緣的至少一部分的所述負性抗蝕劑的表面上的所述保護膜的表面和所述第一晶片的側面的方式進行。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法使用了具有如下晶片載置臺的半導體制造裝置：具備載置所述第一晶片的載置面，通過所述載置面的表面的重心并且連結所述載置面的兩端部的直線中最長的第一直線比在所述載置面上載置的晶片的直徑的長度短，該半導體裝置的制造方法的特征在于，

在涂敷所述遮光材料的工序之前，具有以所述第一晶片的外緣從所述載置面的端部突出的方式將所述第一晶片配置在所述載置面上的工序。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述半導體制造裝置具備能夠供給所述遮光材料并且能夠進行驅動的遮光材料供給部，

在涂敷所述遮光材料的工序之前，將所述遮光材料供給部的配置調整到能夠在所述第一晶片的外緣的至少一部分橫跨所述負性抗蝕劑的表面上和側面地涂敷遮光材料的位置。

10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料供給部的配置根據在所述載置面上配置的所述第一晶片的位置信息來進行。

11.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

具備能夠供給從所述載置面的中心側流向端部側的空氣的送風機構，

在涂敷所述遮光材料的工序中，從晶片的下方對涂敷有所述遮光材料的所述晶片的外緣供給從所述載置面的中心側流向端部側的空氣。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述送風機構能夠根據所述晶片在所述載置面上的位置信息和所述遮光材料供給部的位置信息進行移動。

13.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

具備能夠吸引外部氣體的吸引機構，

在涂敷所述遮光材料的工序中，利用所述吸引機構從吸引孔與所述載置面為同一平面并且與所述載置面分離的位置對涂敷所述遮光材料的所述晶片的外緣的周圍的外部氣體進行吸引。

14.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述吸引機構能夠根據所述晶片在所述載置面上的位置信息和所述遮光材料供給部的位置信息進行移動。