[發明專利]一種Ⅲ族氮化物半導體器件的制備方法無效
| 申請號： | 201210251977.1 | 申請日： | 2012-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN102779787A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發明（設計）人： | 朱廷剛 | 申請（專利權）人： | 江蘇能華微電子科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛;李艷 |
| 地址： | 215600 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化物 半導體器件 制備 方法 | ||
1.一種III族氮化物半導體器件的制備方法，其特征在于，它包括以下步驟：
A)在基片上外延出III族氮化物層；
B)在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分隔為多個獨立的區間；
C)對多個獨立的區間以及位于區間內的基片進行微加工形成多個半導體器件。
2.根據權利要求1所述的III族氮化物的半導體器件的制備方法，其特征在于：在步驟B)中，所述凹槽的最低點與所述基片的距離在0-3μm之間。
3.根據權利要求1所述的III族氮化物的半導體器件的制備方法，其特征在于：在步驟B)中，所述多個凹槽至少部分的位于基片內。
4.根據權利要求1所述的III族氮化物的半導體器件的制備方法，其特征在于：在步驟A)中，采用MOVCD方法置在基片上外延出III族氮化物層。
5.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體器件的制備方法，其特征在于：在步驟B)中，采用蝕刻的方法在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分為多個獨立的區間。
6.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體器件的制備方法，其特征在于：在步驟B)中，采用激光的方法在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分為多個獨立的區間。
7.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體器件的制備方法，其特征在于：在步驟C)中的微加工包括光刻、蝕刻、鍍金屬膜、鍍絕緣介質膜中的一種或幾種。
8.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體器件的制備方法，其特征在于：它還包括一步驟D)，對多個分列的半導體器件進行蝕刻劃片將其分離。
9.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體器件的制備方法，其特征在于：所述的基片由藍寶石、Si或SiC中的一種或幾種制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇能華微電子科技發展有限公司，未經江蘇能華微電子科技發展有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210251977.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：無刷驅動電機前端蓋
- 下一篇：發電機中用于壓緊沖片的齒壓板
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
