[發明專利]一種Ⅲ族氮化物半導體器件的制備方法

無效

• 申請號: 201210251977.1
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102779787A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 朱廷剛
• 申請（專利權）人: 江蘇能華微電子科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;李艷

技術領域

本發明涉及到一種III族氮化物半導體器件的制備方法。?

背景技術

眾所周知，半導體外延生長中總會遇到外延材料和襯底材料晶格失配的問題。因此，在III族氮化物與基片的匹配外延過程中，III族氮化物和基片之間會呈一定的拱形，這個拱形通過肉眼是無法辨別的，但是通過激光反射儀等裝置下可得出，晶格差異越大，拱形的弧度也就越大。由于拱形是其自身的物理屬性造成，因而是無法避免的。?

但是，在后續加工過程中，此拱形會帶來非常大的問題，例如定位不準確而影響整個工藝流程的精度，從而使晶圓微加工的均勻性大大降低。因此，如何減小由晶格密度差異帶來的翹曲，是本領域技術人員急待解決的技術難題。?

發明內容

針對上述問題，本發明的主要目的是提供一種III族氮化物半導體器件的制備方法，解決了由III族氮化物與基片之間的晶格差異而造成的加工缺陷。?

為了解決上述難題，本發明采取的方案是一種III族氮化物半導體器件的制備方法，它包括以下步驟：?

A)在基片上外延出III族氮化物層；?

B)在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分為多個獨立的區間；?

C)對多個獨立的區間以及位于區間內的基片進行微加工形成多個半導體器件。?

優選地，在步驟B)中，所述凹槽的最低點與所述基片的距離在0-3μm之間。?

優選地，在步驟B)中，所述多個凹槽部分的位于基片內。?

優選地，在步驟A)中，采用MOVCD方法置在基片上外延出III族氮化物層。?

優選地，在步驟B)中，采用蝕刻的方法在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分為多個獨立的區間。?

優選地，在步驟B)中，采用激光的方法在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分為多個獨立的區間。?

優選地，在步驟C)中的微加工包括光刻、蝕刻、鍍金屬膜、鍍絕緣介質膜中的一種或幾種。?

優選地，它還包括一步驟D)，對多個分列的半導體器件進行蝕刻劃片，將其分離。?

優選地，所述的基片由藍寶石、Si或SiC中的一種或幾種制成。?

本發明采用以上方法，能夠解決基片與III族氮化物之間晶格不匹配問題和熱失配問題而引起的翹曲，從而保證高質量晶圓微加工工藝，大大提高器件的良品率。?

附圖說明

圖1為基片的結構示意圖。?

圖2為在基片上外延出III族氮化物層的結構示意圖。?

圖3為在III族氮化物層上開設多個凹槽時的主視圖。?

圖4為在III族氮化物層上開設多個凹槽后后續加工前的主視圖。?

圖5為在III族氮化物層上形成多個凹槽后的俯視圖。?

附圖中：1、基片；2、III族氮化物層；21、區間；22、凹槽。?

具體實施方式

下面結合說明書附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域的技術人員理解，從而對本發明的保護范圍作出更為清楚明確的界定。?

本發明的第一實施例中：一種III族氮化物半導體器件的制備方法，它包括以下步驟：?

(A)如附圖1和2所示，在基片上外延出III族氮化物層；?

(B)在III族氮化物層上形成多個凹槽，這些凹槽將III族氮化物層分為多個獨立的區間；?

(C)對多個獨立的區間以及位于區間內的基片進行微加工形成多個分列的半導體器件。?