[發明專利]一種相變溫度可調的FeRhPt復合薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201210251569.6 | 申請日： | 2012-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN102779533A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發明（設計）人： | 陸偉;陳哲;何晨沖;嚴彪 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | G11B5/84 | 分類號： | G11B5/84;H01F10/12;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 溫度 可調 ferhpt 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種相變溫度可調的FeRhPt復合薄膜，包括單晶MgO（001）基板以及其上的（FeRh）100-XPtX合金薄膜，并且x的取值范圍為0<x<20。
2.如權利要求1所述的FeRhPt復合薄膜，其特征在于，所述（FeRh）100-XPtX合金薄膜厚度為5～100nm。
3.權利要求1或2所述的FeRhPt復合薄膜的制備方法，步驟為：
1）薄膜的沉積：通過沉積法在單晶（001）MgO基板上沉積（FeRh）100-XPtX合金薄膜，其中x的取值范圍為0<x<20；
2）退火處理：基板自然冷卻后，在真空中對沉積獲得的薄膜進行退火處理得到FeRhPt復合薄膜。
4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟1）所述沉積法為物理氣相沉積法。
5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟1）所述沉積法為磁控濺射沉積法。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積法的條件為：濺射時基板溫度100～500℃；濺射腔的背底真空度0.7×10-5～5×10-5Pa，濺射時氬氣氣壓1～20Pa。
7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，磁控濺射沉積法濺射過程中基板以5轉/分鐘～30轉/分鐘的速率旋轉。
8.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟2）所述退火處理的條件為：真空度1×10-5～10×10-5Pa，退火溫度400～700℃，退火時間0.5～4小時。
9.權利要求1或2任一權利要求所述的FeRhPt復合薄膜作為磁記錄介質的應用。
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