[發(fā)明專利]用于對(duì)背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210250473.8
• 申請(qǐng)日: 2012-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN103576462A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 芮強(qiáng);張碩;王根毅;鄧小社
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;H01L21/683
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;李家麟

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造的光刻技術(shù)領(lǐng)域，涉及用于對(duì)背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法。

背景技術(shù)

晶片（wafer）是制造半導(dǎo)體芯片的襯底，其一般地包括背面和正面，半導(dǎo)體芯片的器件主要地在晶片的正面形成，因此，半導(dǎo)體工藝也主要是在晶片的正面上完成。

但是，在某些特定半導(dǎo)體芯片的制造中，需要對(duì)晶片的背面減薄以形成薄片。現(xiàn)有技術(shù)中，晶片的背面減薄通常采用濕法腐蝕工藝完成，例如，SEZ公司提供的背硅濕法腐蝕設(shè)備，均采用濕法腐蝕完成晶片的減薄。這種背面濕法腐蝕的方法會(huì)使晶片的背面的變粗，也即降低晶片背面的平整度。一般地，背面濕法腐蝕后的晶片的背面的平整度一般在4微米左右。

然而，背面濕法腐蝕后的晶片一般地還需要對(duì)晶片的正面完成某些工藝步驟，例如，光刻構(gòu)圖。在正面光刻的過(guò)程中，由于背面濕法腐蝕后的晶片的背面的平整度差，并且，晶片被減薄，背面濕法腐蝕后的晶片采用諸如真空吸附方式固定在光刻機(jī)設(shè)備的載片臺(tái)上時(shí)，容易造成該晶片正面翹曲，無(wú)法或難以準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)聚焦、曝光，從而難以完成光刻步驟，或者光刻構(gòu)圖的精確度差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，對(duì)背面濕法腐蝕減薄后的晶片的正面實(shí)現(xiàn)正常光刻。

為實(shí)現(xiàn)以上目的或者其他目的，本發(fā)明提供一種用于對(duì)背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法，其包括步驟：

提供背面濕法腐蝕后的晶片；

在所述晶片的背面上貼膜；

將所述晶片的背面相向地置于光刻機(jī)的載片臺(tái)上固定；以及

在所述晶圓的正面上完成正面光刻。

按照本發(fā)明一實(shí)施例的正面光刻方法，其中，所述固定步驟中，并采用真空吸附方式固定。

按照本發(fā)明一實(shí)施例的正面光刻方法，其中，完成所述正面光刻步驟后，還包括：

揭去所述晶圓的背面的膜。

優(yōu)選地，所述膜的表面的平整度小于所述背面濕法腐蝕后的晶片的背面的平整度。

優(yōu)選地，所述膜的表面的平整度小于或等于1微米。

優(yōu)選地，貼附在所述晶圓背面上的膜為藍(lán)膜。

進(jìn)一步，所述貼膜步驟在所述貼膜機(jī)上完成或者通過(guò)人工手工完成。

優(yōu)選地，所述晶片被減薄至250微米至400微米。

本發(fā)明的技術(shù)效果是，通過(guò)在濕法腐蝕后的晶片的背面上貼膜，其平整度得到有效提高，有效地解決了光刻過(guò)程中由于晶片背面平整度差、晶片薄所導(dǎo)致的正面光刻難以完成的問題，方法簡(jiǎn)單，成本低，并且能有效提高該晶片的正面光刻的精確度。

附圖說(shuō)明

從結(jié)合附圖的以下詳細(xì)說(shuō)明中，將會(huì)使本發(fā)明的上述和其他目的及優(yōu)點(diǎn)更加完全清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的標(biāo)號(hào)表示。

圖1是按照本發(fā)明一實(shí)施例的用于對(duì)背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法流程示意圖。

圖2至圖5是對(duì)應(yīng)于圖1所示實(shí)施例的方法流程的晶片結(jié)構(gòu)變化示意圖。

具體實(shí)施方式

下面介紹的是本發(fā)明的多個(gè)可能實(shí)施例中的一些，旨在提供對(duì)本發(fā)明的基本了解，并不旨在確認(rèn)本發(fā)明的關(guān)鍵或決定性的要素或限定所要保護(hù)的范圍。容易理解，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，在不變更本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神下，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以提出可相互替換的其他實(shí)現(xiàn)方式。因此，以下具體實(shí)施方式以及附圖僅是對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案的示例性說(shuō)明，而不應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明的全部或者視為對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限定或限制。

在本文中，晶片的正面定義為用于光刻構(gòu)圖并形成半導(dǎo)體器件的一面，與該正面向反的一面定義為晶片的背面。在本文描述中，使用方向性術(shù)語(yǔ)（例如“上”、“下”等）以及類似術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種結(jié)構(gòu)實(shí)施例的附圖中示出的方向或者能被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的方向。這些方向性術(shù)語(yǔ)用于相對(duì)的描述和澄清，而不是要將任何實(shí)施例的定向限定到具體的方向。

圖1所示為按照本發(fā)明一實(shí)施例的用于對(duì)背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法流程示意圖；圖2至圖5所示為對(duì)應(yīng)于圖1所示實(shí)施例的方法流程的晶片結(jié)構(gòu)變化示意圖。以下結(jié)合圖1至圖5對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的光刻方法進(jìn)行說(shuō)明。

首先，步驟S10，提供背面濕法腐蝕后的晶片。如圖2所示，100為背面被濕法腐蝕后的晶片，其厚度被腐蝕減薄以形成薄片，例如，在制備DMOS芯片時(shí)，需要對(duì)晶片背面減薄。如圖示，110為晶片100的正面，其為欲光刻構(gòu)圖的一面，也即需要進(jìn)行正面光刻；120為晶片100的背面，其被濕法腐蝕后表面平整度差，例如，其平整度在4微米以上。晶片100被腐蝕減薄以后，其厚度范圍為250微米至400微米，例如300微米。