[發(fā)明專利]用于對背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210250473.8 | 申請日： | 2012-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN103576462A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 芮強(qiáng);張碩;王根毅;鄧小社 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;李家麟 |
| 地址： | 214028 中國無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 背面 濕法 腐蝕 晶片 正面 進(jìn)行 光刻 方法 | ||
1.一種用于對背面濕法腐蝕后的晶片的正面進(jìn)行光刻方法，其特征在于，包括步驟：
提供背面濕法腐蝕后的晶片；
在所述晶片的背面上貼膜；
將所述晶片的背面相向地置于光刻機(jī)的載片臺(tái)上固定；以及
在所述晶圓的正面上完成正面光刻。
2.?如權(quán)利要求1所述的正面光刻方法，其特征在于，所述固定步驟中，并采用真空吸附方式固定。
3.?如權(quán)利要求1或2所述的正面光刻方法，其特征在于，完成所述正面光刻步驟后，還包括：
揭去所述晶圓的背面的膜。
4.?如權(quán)利要求1或2所述的正面光刻方法，其特征在于，所述膜的表面的平整度小于所述背面濕法腐蝕后的晶片的背面的平整度。
5.?如權(quán)利要求4所述的正面光刻方法，其特征在于，所述膜的表面的平整度小于或等于1微米。
6.?如權(quán)利要求1或2所述的正面光刻方法，其特征在于，貼附在所述晶圓背面上的膜為藍(lán)膜。
7.?如權(quán)利要求1或2所述的正面光刻方法，其特征在于，所述貼膜步驟在所述貼膜機(jī)上完成或者通過人工手工完成。
8.?如權(quán)利要求1或2所述的正面光刻方法，其特征在于，所述晶片被減薄至250微米至400微米。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作，例如，鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備
