[發明專利]用于生產多晶硅用的反應器的具有變頻器的供電裝置

無效

• 申請號: 201210250296.3
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN102891610A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: P·瓦爾邁爾
• 申請（專利權）人: 安奕極電源系統有限責任公司
• 主分類號: H02M5/10
• 分類號: H02M5/10;C01B33/035
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 董華林

1.用于生產多晶硅用的反應器（R）的供電裝置（MF），具有一個變頻器、至少一個用于從供電網接收輸入電流的輸入端和多個輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”），所述輸入端能夠與供電網連接，所述輸出端分別帶有兩個配設的用于連接一個或多個負載（31、32、33）的接頭（H”、L1”、L2”、L3”），其中，通過每個輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”）能給連接在輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”）上的所述一個負載（31、32、33）或者連接在輸出端上的所述多個負載供給輸出電流，

其特征在于，

所述供電裝置（MF）具有一個用于將輸入電流轉換成n相的多相交流電的不帶變壓器的電路，其中，在用于轉換的電路的次級側形成的n相交流電系統的線電壓之間的相位差為360°/n，并且n是大于或等于2的自然數，

所述供電裝置具有n個輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”），

所述輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”）通過如下方式形成一個鏈，即，在所述n個輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”）中存在n-2個這樣的輸出端（L1”、L2”），為這n-2個輸出端配設兩個接頭（L1”、L2”），這兩個接頭同時還分別配設于所述輸出端中的另一輸出端（H”、L1”；L2”、L3”），以及

在每個輸出端（H”、L1”；L1”、L2”；L2”、L3”）上施加n相交流電系統的線電壓中的一個電壓。

2.根據權利要求1所述的供電裝置（MF），其特征在于，n是大于或等于3的自然數。

3.根據權利要求1或2所述的供電裝置（MF），其特征在于，用于轉換的電路包含在AC-AC變流器（1）中、尤其是在帶有中間電路存儲器的AC-AC變換器或者矩陣變換器中。

4.根據權利要求1或2所述的供電裝置（MF），其特征在于，用于轉換的電路包含在換流器、尤其是在振蕩回路換流器中。

5.根據權利要求3或4所述的供電裝置（MF），其特征在于，所述AC-AC變流器（1）或換流器包括所述變頻器。

6.根據權利要求1至5之一所述的供電裝置（MF），其特征在于，至少一個變壓器（2）連接在AC-AC變流器（1）或者換流器下游。

7.根據權利要求6所述的供電裝置（MF），其特征在于，所述變壓器（2）是n相變壓器。

8.根據權利要求7所述的供電裝置（MF），其特征在于，所述n相變壓器（2）在初級側以多邊形接法連接。

9.根據權利要求7或8所述的供電裝置（MF），其特征在于，所述n相變壓器（2）的次級繞組（212、222、232）與所述供電裝置（MF）的各一個輸出端并聯。

10.設備，包括:

一個第一供電裝置（VSC），其中，第一供電裝置（VSC）至少具有一個單相變壓器（5）、一個三相變壓器（5）或一個n相變壓器，所述變壓器對于每個次級繞組（42）帶有至少三個抽頭（421、422、423、424），每個次級繞組（42）的一個抽頭（424）與次級側的一個中性導線相連接，并且每個次級繞組（42）的其余抽頭（421、422、423）通過各一個功率調整器（5）與次級側的一個外導線相連接，每個次級側的外導線與一個外導線接頭（L1”’、L2”’、L3”’）相連接，而所述中性導線與至少一個中性導線接頭（N’’’）相連接，每個外導線接頭（L1”’、L2”’、L3”’）與所述中性導線接頭（N”’）之一共同形成所述第一供電裝置（VSC）的輸出端；以及

1至n個第二供電裝置（MF），

其特征在于，

所述一個第二供電裝置（MF）或所述n個第二供電裝置（MF）根據權利要求1至9之一構成，其中，所述第一供電裝置（VSC）的每個輸出端與由所述一個第二供電裝置（MF）的或者所述n個第二供電裝置（MF）之一的輸出端組成的一個鏈或鏈之一并聯。

11.用于通過根據西門子法進行氣相沉積來生產多晶硅的反應器，所述反應器帶有反應器容器，在所述反應器容器中布置有用于硅棒或者硅細棒的支架（7），其中，所述支架（7）與所述設備電連接，

其特征在于，

所述設備根據權利要求10構成。