[發明專利]一種半導體電熱膜制備方法

有效

• 申請號: 201210250016.9
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN102761995A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 黃三峰
• 申請（專利權）人: 黃三峰
• 主分類號: H05B3/20
• 分類號: H05B3/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體電熱膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(a)基材的清洗：將基材置超聲波清洗器中，用蒸餾水將所述基材表面清洗干凈，然后置烤箱烘干待用；

(b)源溶液的配制，其組分含量按以下重量百分比配制：

水合四氯化錫(SnCl₄.5H₂O)10-35，四氯化鈦(TiCl₄)5-10，三氯化銻(SbCl₃)0.2-1.0，三氯化鈦(TiCl₃)4-10，無水乙醇44-80.8；

上述材料混合溶液經恒溫攪拌均勻即得源溶液；

(c)噴鍍：將所述基材通過機械聯動裝置送至密閉的加熱腔體內，溫度控制在450-700℃，通過噴嘴將源溶液霧化并噴至加熱腔體內的所述基材表面，且發生化學與物理雙重反應，產物結合在所述基材表面；

(d)退火：將所述加熱腔體內的基材升溫至600-800℃，保持3-5小時，然后將其取出自然冷卻即可；

(e)電極燒結：將所述基材鍍膜面的兩端均勻涂上銀電極漿料，至保溫爐內，在1-2小時內緩慢從25℃升至600℃，即燒結制成電極。

2.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：

所述基材采用硼硅玻璃管、石英玻璃管或陶瓷管；

所述基材形狀為管狀、U型、平面或曲面。

3.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：

所述加熱腔體是由高溫陶瓷材料、高嶺土、高溫泥燒結而成的；

所述加熱腔體是回形柱體或環形柱體結構；

所述加熱腔體內埋有加熱元件，其中所述加熱元件采用電熱絲或加熱管。

4.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：在所述基材溫度升至600-700℃時，所述噴嘴通過機械聯動裝置從加熱腔體一側自動快速送至所述基材底部。

5.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：

所述噴嘴是擴散型，包括一個或多個噴頭；

所述噴頭通過調控氣壓大小來控制將所述源溶液的霧化量；

所述噴頭內置循環冷卻液，進行實時冷卻。

6.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：所述噴鍍過程中，所述源溶液與所述基材表面反應產物主要成分二氧化鈦以化學鍵方式與所述基材表面結合，具有穩定的金紅石結構。

7.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：

所述機械聯動裝置采用伺服系統的自動控制元件實現送料、鍍膜和出料；

所述機械聯動裝置采用更換送料裝置結構，實現在平面或曲面狀基材上均勻噴鍍。

8.根據權利要求1所述半導體電熱膜的制備方法，其特征在于：所述基材為片狀或板狀時，一次可實現一片或數片基材的均勻鍍膜。